Химийн хутгуулах аргаар силикон цутгамал дээр пирамидын хэв маяг эсвэл эргэсэн пирамидын бүтэц үүсгэдэг бөгөөд энэ нь фотоцахилгаан эсэд гэрлийн шингээх чадварыг эрс сайжруулдаг. Энэ чухал үйлдвэрлэлийн үйл явц нь нарнаас цахилгаан гаргадаг эсийн хувиргах үр ашгийг сайжруулахад чухал ач холбогдолтой.
Тоног төхөөрөмж : Монокристалл багц текстюржилт систем
Үйлдвэрлэгчийн сонголт: CHINA S.C.,Kingenious.,etc
PN холбоос үүсгэхэд P+ давхаргын бүтэц: Өндөр температурт BCl₃ ашиглан силикон давхарга дээрх гадаргуу дээр P+ давхаргыг бүтээж, PN холбоосыг үүсгэх замаар давхарга дотор тээврийн үүсгэлтийг хангана.
N төрлийн эс холбоосыг үүсгэх арга: N төрлийн эсүүдийн холбоос үүсгэх процесс нь фосфортой нэмэгдсэн хагас дамжуулагч материалд борын (B) диффузийн аргаар явагдаж, хоёр нэмэгдсэн хагас дамжуулагч хэсгүүдийн хоорондох хил дээр P-N холбоос үүсгэнэ.
Тоног төхөөрөмж:
Борын диффузийн зуурмаг (6 хоолойтой)
Үйлдвэрлэгчийн сонголт:
ХИНА С.Ц., Лаплас, гэх мэт
HF ашиглан фосфосиликат шил (PSG) арилгах
Реакц: SiO2+HF→H2SiF6+H2O
Сонгомол гадаргуугийн хамгаалалт ба гялтганаа механизм:
“Protective groups” (e.g., silane-based compounds) form an ordered monolayer on the oxide surface:
OH⁻ тархалтын саад болох → SiO₂-ийн хутгахыг зогсоодог
OH⁻-ийн ар талын Si-тэй урвалд хурдасгах → {111}/{100} хавирга дээр анизотроп хутгалтыг сайжруулдаг
Тоног төхөөрөмж: Шугаман BSG арилгах тоног төхөөрөмж+Шүлтийн гялтганаа тоног төхөөрөмж
Үйлдвэрлэгчийн сонголт: CHINA S.C.,Kingenious.,etc
Оксидын давхаргын талбайд тавих зарчим: Өндөр температурт хүчилтөрөгчийн тархалтын замаар дулаан исэлдэлт, ингэснээр хүчилтөрөгч кремнийн харилцан үйлчлэлцэж кремний исэл үүсгэнэ.
Химийн урвал: O2+SiSiOx.
Аморф кремний (a-Si) талбайд тавих зарчим: CVD үйл явц дахь силиан (SiH₄) -ийн дулааны задрал, хатуу фазын кремний болон устөрөгчийн бүтээгдэхүүн үүсгэнэ.
Химийн урвал: SiH₄(g) → Si(s) + 2H₂(g)
Тоног төхөөрөмж: LPCVD систем
Үйлдвэрлэгч сонголт: Laplace.,etc
POCl3-ийн задралаар үүссэн P2O5 нь силикон чипний гадаргуу дээр хуримтлагддаг. P2O5 нь силиконтой урвалд ороод SiO2 болон фосфор атомууд үүсгэж, силикон чипний гадаргуу дээр фосфосиликат шилэн давхарга үүсгэдэг. Дараа нь фосфор атомууд силиконд тархдаг.
Урвал: 2P2O5+5Si=5SiO2+4P↓
Тоног төхөөрөмж: Phosphorus diffusion furnace
Үйлдвэрлэгч сонголт: CHINA S.C..,etc
PSG арилгах зориулалтын шугаман чийгтэй хатгалт (ар тал ба хажуу тал)
Процесс: Сагсан хэлбэрийн чийглэг станц HF-д суурилсан химийн аргаар вафрын ар тал болон ирмэгээс фосфосиликат шил (PSG) -ийг RCA цэвэрлэгээ хийхээс өмнө арилгана.
The “protective groups” are selectively arranged in an orderly manner to enhance the protection of BPSG. After removing PSG on the POLY surface using an alkali polishing process, aOH+ADD is used to successfully protect SiO2 from being corroded by NaOH.
Тоног төхөөрөмж: In-line PSG removal system+RCA cleaning machine
Үйлдвэрлэгч сонголт: CHINA S.C..,etc
Гадаргуугийн пассивжуулалтын зарчим: ALD арга нь атомын хэмжээний нимгэн давхаргыг давхарга дараалан тавьдаг. Al₂O₃-ийн сөрөг тогтмол цэнэгүүдийг ашиглан силикон эзлэхүүний чиглэлд цахилгаан талбар үүсгэдэг. Энэ талбар:
Аливаа электронуудыг Al₂O₃/Si хүрээнээс n-хэлбэрийн силикон дотроос
Хүрээний нөхөн сэргээх хурдыг бууруулдаг (Seff < 10 см/с)
Цөөнхийн тээврийн хугацааг нэмэгдүүлдэг (Δτ > 1 мс)
Al₂O₃-ийг TMA урьдач урвалын механизмаар хавсаргах: Триметилалюминий (TMA) нь ууршилтай усны молекулуудтай давталтын урвалд ордог:
2AL(CH3)3 + 3H2O = Al2O3 + 6CH4
Тоног төхөөрөмж: ALD
Үйлдвэрлэгч сонголт: LEADMICRO.,etc
Бага даралтын гэрэл цацруулах дисчаржид силикон самбар катодод байрлуулсан байдаг. Самбар нь гэрэл цацруулах дисчаржийн энергийн эх үүсвэрээр тогтоосон температурт халаагдана.
Тоног төхөөрөмж: Таван хоолойн урд талын плазмаар сайжруулсан CVD
Үйлдвэрлэгч сонголт: CHINA S.C..,etc
Низэм даралтын гэрэл ялгаруулах системд кремний эсгий катодын дээр байрлуулдаг. Эсгийг гэрэл ялгаруулалт ашиглан (эсвэл нэмэлт халаах элемент ашиглан) тодорхой хэмжээгээр халаадаг. Дараа нь SiH₄ ба NH₃-ийг тохирох хэмжээгээр оруулж, кремний эсгийн ар тал дээр хатуу нимгэн давхарга (SiNx) үүсгэх химийн болон плазмын урвал явагддаг.
Тоног төхөөрөмж: 5-tube back-side plasma-enhanced CVD
Үйлдвэрлэгч сонголт: CHINA S.C..,etc
Хэвлэх явцад цавууг торны дээр түрхдэг. Скринийг дайран явж байгаа сэнс нь хяналттай даралт үзүүлж, цавууг торны нүхнүүдээр дамжуулан субстрат дээр түрхдэг. Цавуу нь наалдамхай чанараасаа шалтгаалан тодорхой хил хязгаарт наалддаг.
Скрин ба субстратын хоорондох хяналттай зай нь таталттай торны сэнсний дараа буцаж эргэх боломжийг олгож, зөвхөн хөдөлж байгаа шугамын холбоог хадгална. Энэ нь салгах үед торноос цавууг таслах, хэмжээний нарийвчлалыг хангах боломжийг олгодог. Хэвлэлтийн дараа сэнс өргөгдөнө.
Тоног төхөөрөмж: Хоёр шугаман зураг хэвлэлийн шугам
Үйлдвэрлэгчийн сонголт: ЧИНАМАКСЕЛЛ гэх мэт
Бага температурт бүс: Голчлон зуурмагын органик уусгагч болон холбогчдын ууршуулалт ба шаталтыг агуулдаг.
Дунд температурт шатлага: Голчлон шилэн фрит хайлах, мөнгөн хэсгүүдийн бүлэгжилтийг тодорхойлдог.
Өндөр температурт шатлага: Мөнгө, силикон, хайлсан шил хоорондын урвал, мөнгө-силикон хайлшийн үүсэлд голчлон тохиолддог.
Хөрөх үе шат: Голчлон мөнгөний хэсгүүд силикон гадаргуу дээр шинээр бүтэцлэх, хэсгүүд өсөх үйл явцыг агуулдаг.
Тоног төхөөрөмж:Хэрэглээний зуухны галын зуух ба гэрлийн инжекцийн нэгдсэн систем (Хоёр хяналтын)
Үйлдвэрлэгч сонголт: ЧИНАМАКСЕЛЛ гэх мэт
Өндөр нягтралтай лазерын цацраг нарны эс дэх цэнэгийн тээвэрлэгчдийг сэргээдэг бол 10V-ээс давсан урьдчилсан хүчдэлийг хэрэглэснээр хэдэн амперийн орон нутгийн гүйдэл үүсдэг. Энэ нь мөнгөний паста ба силицийн хоорондох харилцан тархалтыг өдөөж, металл ба хагас дамжуулагчийн хоорондох холбооны эсэргүүцлийг эрс багасгадаг тул дүүргэгчийн хүчин зүйлийг сайжруулдаг. Энэ хугацаанд, хэрэглээний зуухны галын зуухны үйл ажиллагааны явцад, лазер дамжсаны дараа тээвэрлэгчийн наслалт хурдан дуусдаг тул эсвэл гэмтэл багасдаг.
Тоног төхөөрөмж: Хоёр замчтай лазерын нөлөөгөөр хийнэ хийх систем
Үйлдвэрлэгч сонголт: Доктор, г.м.
AOI (Автоматжуулсан оптик шалгалт) нь нарнаас цахилгаан энерги үйлдвэрлэхэд тохиолддог ердийн харааны гажигийг илрүүлэхэд оптик зарчимд суурилсан төхөөрөмж юм.
EL (Электролюминесценцийн) зарчим: Нарнаас цахилгаан энерги үйлдвэрлэх эсэд урагшлах гүйдэл хэрэглэдэг бөгөөд фотовольтийн нөлөөний эсрэг үйл явцыг ашиглан эсээс гэрэл ялгаруулдаг. Зураг авах систем дохиог бариад компьютерт дамжуулж, программ нь мэдээллийг боловсруулж, нарнаас цахилгаан энерги үйлдвэрлэх эсийн EL зурагийг дэлгэцэн дээр гаргадаг.
Нарны эс туршилтын зарчим: Нарны эсийг нөхцөгт нарны гэрэлд ил гаргаж, гэрлийн энергийг цахилгаан энерги болгон хувиргаж, гүйдэл үүсгэдэг. Туршилтын төхөөрөмж зэрэгцээд гүйдэл болон хүчдэлийг хэмжиж, дараа нь эдгээр үзүүлэлтүүдээс гаргаж авсан мэдээллээр хүчин чадал, үр ашгийг тооцдог.
Тоног төхөөрөмж:Хоёр шугаман нарны эс туршилт, ангилах төхөөрөмж (HALM систем, 150 савтай)
Үйлдвэрлэгч сонголт: ЧИНАМАКСЕЛЛ гэх мэт
Бидний бүтээгдэхүүн болон шийдлүүдийн талаар илүү их мэдээлэл авахын тулд доорх формыг бөглөнө үү, бидний мэргэжилтнүүд танд удахгүй холбогдох болно
Шандонг мужид 3000 TPD алтны флотацийн төсөл
Fax: (+86) 021-58779592
Хаяг: Тасаг 606, Барилга D3, Хэсгийн II, Чуансха Бизнес Центр, 777 урт, Миаочуан гудамж, Пудонг шинэ бүс, Шанхай, Хятад улс
Зохиогчийн эрх © 2023. Промайнер (Шанхай) Уул уурхайн технологи ХХК.
