การสร้างพื้นผิว

กระบวนการกัดกร่อนทางเคมีสร้างพื้นผิวที่มีลักษณะเป็นรูปทรงพีระมิดหรือรูปทรงพีระมิดกลับด้านบนพื้นผิวของซิลิคอนเวเฟอร์ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการดูดกลืนแสงในเซลล์แสงอาทิตย์อย่างมาก กระบวนการผลิตที่สำคัญนี้จำเป็นต่อการปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์

อุปกรณ์ : ระบบการสร้างพื้นผิวแบบแบตช์ของซิลิคอนผลึกเดียว

การเลือกผู้ผลิต: CHINA S.C.,Kingenious.,etc

การกำจัด BSG + การขัดด้วยด่าง

การกำจัดฟอสโฟซิลิเกตแก้ว (PSG) ด้วยกรดไฮโดรฟลูออริก
ปฏิกิริยา: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O

กลไกการป้องกันและขัดผิวเลือก:

“Protective groups” (e.g., silane-based compounds) form an ordered monolayer on the oxide surface:

สร้างอุปสรรคการแพร่กระจาย OH⁻ → ป้องกันการกัดกร่อน SiO₂

เร่งปฏิกิริยา OH⁻ กับ Si ด้านหลัง → เพิ่มประสิทธิภาพการกัดกร่อนแบบแอนไอโซทรอปิกบนระนาบ {111}/{100}

อุปกรณ์: อุปกรณ์กำจัด BSG แบบออนไลน์ + อุปกรณ์ขัดด้วยด่าง

การเลือกผู้ผลิต: CHINA S.C.,Kingenious.,etc

การแพร่กระจายของ P/การอบ

P2O5 ที่เกิดจากการสลายตัวของ POCl3 ถูกสะสมบนพื้นผิวของชิปซิลิกอน P2O5 ทำปฏิกิริยากับซิลิกอนเพื่อสร้าง SiO2 และอะตอมฟอสฟอรัส และสร้างชั้นของแก้วฟอสโฟซิลิเกตบนพื้นผิวของชิปซิลิกอน อะตอมฟอสฟอรัสจะแพร่กระจายเข้าสู่ซิลิกอน

ปฏิกิริยา: 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P↓

อุปกรณ์: Phosphorus diffusion furnace

ผู้ผลิต การเลือก: CHINA S.C..,etc

การฝากอะตอมแบบชั้นต่อชั้น (ALD) สำหรับการป้องกันผิว

หลักการป้องกันผิว: ALD ทำให้สามารถฝากฟิล์มบางระดับอะตอมแบบชั้นต่อชั้นได้ โดยใช้ประจุลบคงที่ของ Al₂O₃ เพื่อสร้างสนามไฟฟ้าระหว่างผิวต่อกับสารตั้งต้น ที่ชี้นำไปยังส่วนเนื้อของซิลิคอน สนามไฟฟ้านี้:

ผลักอิเล็กตรอนออกจากผิวต่อ Al₂O₃/Si ในซิลิคอนชนิด n-type

ลดอัตราการรวมตัวของพาหะน้อยกว่า (S_eff < 10 เซนติเมตร/วินาที)

เพิ่มอายุการใช้งานของพาหะน้อยกว่า (Δτ > 1 มิลลิวินาที)

การตกตะกอน Al₂O₃ ด้วยกลไกปฏิกิริยาของสารตั้งต้น TMA: ไตรเมทิลอะลูมิเนียม (TMA) ทำปฏิกิริยากับไอน้ำในกระบวนการวนซ้ำ
2Al(CH₃)₃ + 3H₂O → Al₂O₃ + 6CH₄

อุปกรณ์: ALD

ผู้ผลิต การเลือก: LEADMICRO.,etc

ด้านหลังเคลือบผิว

ใช้พลาสมาอุณหภูมิต่ำเป็นแหล่งพลังงาน วัสดุซิลิกอนเวเฟอร์วางบนขั้วลบของระบบการปล่อยประจุไฟฟ้าในความดันต่ำ เวเฟอร์ถูกทำให้ร้อนถึงอุณหภูมิที่กำหนดผ่านการปล่อยประจุไฟฟ้า (หรือด้วยองค์ประกอบความร้อนเพิ่มเติม) จากนั้นนำ SiH₄ และ NH₃ ในปริมาณที่เหมาะสม เข้าสู่ระบบ ทำปฏิกิริยาเคมีและพลาสมาชุดหนึ่งเพื่อสร้างฟิล์มบางของแข็ง (SiNₓ) บนพื้นผิวด้านหลังของซิลิกอนเวเฟอร์

อุปกรณ์: 5-tube back-side plasma-enhanced CVD

ผู้ผลิต การเลือก: CHINA S.C..,etc

เตาเผา

โซนอุณหภูมิต่ำ: ส่วนใหญ่เกี่ยวข้องกับการระเหยและการเผาไหม้ของตัวทำละลายอินทรีย์และตัวผสมยึดเกาะในแป้งพิมพ์
ขั้นตอนอุณหภูมิปานกลาง: ส่วนใหญ่มีลักษณะการหลอมละลายของสารผสมแก้วและการรวมตัวของอนุภาคเงิน
ขั้นตอนอุณหภูมิสูง: โดดเด่นด้วยปฏิกิริยาระหว่างเงิน ซิลิกอน และแก้วหลอมละลาย ทำให้เกิดโลหะผสมเงิน-ซิลิกอน
ระยะการเย็นตัว: ส่วนใหญ่ประกอบด้วยการตกผลึกใหม่และการเจริญเติบโตของเมล็ดธัญพืชของอนุภาคเงินบนพื้นผิวซิลิกอน

อุปกรณ์:ระบบเตาเผาและการฉีดแสงแบบรวม (แบบคู่ทาง)

ผู้ผลิต การเลือก: CHINAMAXWELL.,ฯลฯ

การคัดแยกและการทดสอบ

ระบบตรวจสอบด้วยแสงอัตโนมัติ (AOI) เป็นอุปกรณ์ที่ใช้หลักการทางแสงในการตรวจจับข้อบกพร่องทางสายตาทั่วไปที่พบในระหว่างการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์
หลักการ EL (Electroluminescence): กระแสไฟฟ้าตรงถูกนำไปใช้กับเซลล์แสงอาทิตย์ โดยใช้กระบวนการผกผันของผลกระทบโฟโตโวลตาอิก เพื่อให้เซลล์ปล่อยแสง ระบบการถ่ายภาพจะจับสัญญาณและส่งไปยังซอฟต์แวร์คอมพิวเตอร์ ซึ่งจะประมวลผลข้อมูลและแสดงภาพ EL ของเซลล์แสงอาทิตย์บนหน้าจอ
หลักการทดสอบเซลล์แสงอาทิตย์: เซลล์แสงอาทิตย์ได้รับแสงอาทิตย์จำลอง ซึ่งจะแปลงพลังงานแสงเป็นพลังงานไฟฟ้าและสร้างกระแสไฟฟ้า เครื่องทดสอบจะวัดกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้าพร้อมกัน จากนั้นคำนวณพารามิเตอร์สำคัญ เช่น กำลังและประสิทธิภาพตามข้อมูลที่ได้

อุปกรณ์: เครื่องทดสอบและเรียงลำดับเซลล์แสงอาทิตย์แบบ Dual-track (ระบบ HALM, 150 ช่อง)

ผู้ผลิต การเลือก: CHINAMAXWELL.,ฯลฯ