/

/

Вторичное оборудование для производства фотоэлектрических элементов

Используемое фотоэлектрическое оборудование для производства PERC/TOPCon

Технология Перк

Включает: Аппаратуру для текстурирования монокристаллических пластин партиями, Загрузчик/разгрузчик для текстурирования партиями, Систему диффузии в замкнутых трубках с низким давлением и мягкой посадкой…

Технология TOPCon

Например: Печь для диффузии бора, удаление BSG, Машина для щелочного полирования, PE-POLY…

Наши услуги

Консультации

Проектирование

Закупка оборудования

Различные технические пути для производства PV-элементов

Сравнение трех различных технологических маршрутов

АспектPERCTOPConHJT
ПассивацияЗадняя пассивация Al₂O₃/SiNxПассивированный контакт SiO₂ + поли-SiГетеропереходная пассивация a-Si/c-Si
Ключевые этапы процессаЛицевая сторона: Диффузия фосфора для формирования n+ эмиттера, за которой следует трафаретная печать серебряных сеток.
Обратная сторона:
Нанесение оксида алюминия (слой пассивации) + нитрида кремния (защитный слой).
Лазерное травление (локальный контакт), за которым следует печать алюминиевого заднего поля.
Передняя сторона: Аналогично PERC (диффузия фосфора + трафаретная печать).
Обратная сторона:
Выращивает слой туннельного окисла SiO₂ толщиной 1-2 нм.
Наносит слой легированного фосфором аморфного кремния, отжигаемого для получения слоя n+ поликремния.
Наносит слой SiNx, затем трафаретно печатает электроды.
Очистка и текстурирование: Двухсторонняя текстуризация (требует чрезвычайно высокой чистоты).
Нанесение:
Наносит слои пассивации из intrinsic аморфного кремния (i-a-Si) на обе стороны.
Наносит p-типичный а-Si на лицевую сторону и n-типичный а-Si на тыльную (образуя гетеропереход).
Слой ТКО (прозрачного проводящего оксида): осаждение ITO (оксида индия олова) или подобных материалов.
Металлизация: Низкотемпературная серебряная паста + трафаретная печать (или медное травление).
МеталлизацияВысокотемпературная серебряная паста (>700°C)Высокотемпературная серебряная пастаНизкотемпературная серебряная паста (<200°C)
Температура процессаВысокая (>800°C)Высокая (отжиг >900°C)Низкая (<200°C)
Слой TCOНе требуетсяНе требуетсяТребуется (ITO и т.д.)
Эффективность~24%~26%~27%+
СтоимостьСамый низкийСреднийСамый высокий (оборудование + материалы)

Проектные случаи

5000 TPD Mineral Processing Plant in Hot and Rainy Region

Завод по переработке минералов мощностью 5000 т/сут в жарком и дождливом регионе

Сырье: руда меди и золота, Содержание меди: 1,2%, Содержание золота: 1,5 г/т, Выход: медь 89%, золото 88%

Agitation Tank Reagent Optimization Project in Chile

Проект по оптимизации реагентов в пульповых отстойниках в Чили

Сырье: Смешанная руда золота (оксидная и сульфидная), Содержание золота: 2,8 г/т, Выход золота: 92% (после оптимизации)

2200 TPD Primary Sulfide Copper Flotation Plant in Peru

Завод по флотации первичного сульфидного концентрата меди мощностью 2200 т/сут в Перу

Сырье: Первичная сульфидная руда (халькопирит-борнит), Содержание меди: 0,72%, Содержание в концентрате: 28,3%

1200 TPD Tin Processing Plant with Hydrocyclone System

Завод по переработке олова производительностью 1200 т/сут с системой гидроциклонов

Сырье: Золотоносный оловянный рудник (касситерит) Содержание олова: 0,8% Содержание концентрата: 65%

2500 TPD Complex Phosphate Ore Processing Plant in Morocco

Комплексный завод по переработке фосфатных руд мощностью 2500 т/сут в Марокко

Сырье: Комплексная фосфатная руда с содержанием кремнезема и карбонатов P2O5 Содержание: 18,5% Содержание концентрата: 32% P2O5

Продукты

Решения

Кейс

связаться с нами

WhatsApp

Форма обратной связи