/

/

Вторичное оборудование для производства фотоэлектрических элементов

Используемое фотоэлектрическое оборудование для производства PERC/TOPCon

Технология Перк

Включает: Аппаратуру для текстурирования монокристаллических пластин партиями, Загрузчик/разгрузчик для текстурирования партиями, Систему диффузии в замкнутых трубках с низким давлением и мягкой посадкой…

Технология TOPCon

Например: Печь для диффузии бора, удаление BSG, Машина для щелочного полирования, PE-POLY…

Наши услуги

Консультации

Проектирование

Закупка оборудования

Различные технические пути для производства PV-элементов

Сравнение трех различных технологических маршрутов

АспектPERCTOPConHJT
ПассивацияЗадняя пассивация Al₂O₃/SiNxПассивированный контакт SiO₂ + поли-SiГетеропереходная пассивация a-Si/c-Si
Ключевые этапы процессаЛицевая сторона: Диффузия фосфора для формирования n+ эмиттера, за которой следует трафаретная печать серебряных сеток.
Обратная сторона:
Нанесение оксида алюминия (слой пассивации) + нитрида кремния (защитный слой).
Лазерное травление (локальный контакт), за которым следует печать алюминиевого заднего поля.
Передняя сторона: Аналогично PERC (диффузия фосфора + трафаретная печать).
Обратная сторона:
Выращивает слой туннельного окисла SiO₂ толщиной 1-2 нм.
Наносит слой легированного фосфором аморфного кремния, отжигаемого для получения слоя n+ поликремния.
Наносит слой SiNx, затем трафаретно печатает электроды.
Очистка и текстурирование: Двухсторонняя текстуризация (требует чрезвычайно высокой чистоты).
Нанесение:
Наносит слои пассивации из intrinsic аморфного кремния (i-a-Si) на обе стороны.
Наносит p-типичный а-Si на лицевую сторону и n-типичный а-Si на тыльную (образуя гетеропереход).
Слой ТКО (прозрачного проводящего оксида): осаждение ITO (оксида индия олова) или подобных материалов.
Металлизация: Низкотемпературная серебряная паста + трафаретная печать (или медное травление).
МеталлизацияВысокотемпературная серебряная паста (>700°C)Высокотемпературная серебряная пастаНизкотемпературная серебряная паста (<200°C)
Температура процессаВысокая (>800°C)Высокая (отжиг >900°C)Низкая (<200°C)
Слой TCOНе требуетсяНе требуетсяТребуется (ITO и т.д.)
Эффективность~24%~26%~27%+
СтоимостьСамый низкийСреднийСамый высокий (оборудование + материалы)

Проектные случаи

500 TPD Copper Flotation Optimization & Slurry Flow Regulation Project

500 ТПД Оптимизация флотации меди и регулирование потока шлама

Сырьевая руда: Сульфидная медная руда Содержание меди: 1,2% Целевая ставка восстановления флотации: 92%

1500 TPD Molybdenum Flotation Plant in China

1500 ТПД Молибденовый флотационный завод в Китае

Сырьё: Молибденовая руда сульфидного типа (молибденит) Главная сортировка: 0,15% Mo Сортировка концентрата: ≥ 55% Mo

800 TPD Tailings All-Slime Cyanidation CIL Plant in Ghana

800 ТПД хвосты цианирования с полным слоем в Гане

Сырьё: Существующие хвосты золота (все окислы) Содержание золота в хвостах: 1,2 г/т Финальный продукт: Золотой слиток

2,000 TPD Copper Ore Beneficiation Plant in Kazakhstan

2000 ТПД Завод по обогащению медной руды в Казахстане

Сырьё: Медная руда сульфидного типа (в основном халькозин) Содержание меди: 0,8% Финальный продукт: Медь в концентрате

2000 TPD Tailings Storage Facility & Dry Stacking System in Peru

2000 ТПД Хранилище хвостов и система сухого штабелирования в Перу

Сырьё: Жидкие отходы золотодобычи из завода CIL Содержание твердых веществ в отходах: 35-40% Финальная плотность укладки: 1.6-1.8 т/м³

Продукты

Решения

Кейс

связаться с нами

WhatsApp

Форма обратной связи