/

/

Вторичное оборудование для производства фотоэлектрических элементов

Используемое фотоэлектрическое оборудование для производства PERC/TOPCon

Технология Перк

Включает: Аппаратуру для текстурирования монокристаллических пластин партиями, Загрузчик/разгрузчик для текстурирования партиями, Систему диффузии в замкнутых трубках с низким давлением и мягкой посадкой…

Технология TOPCon

Например: Печь для диффузии бора, удаление BSG, Машина для щелочного полирования, PE-POLY…

Наши услуги

Консультации

Проектирование

Закупка оборудования

Различные технические пути для производства PV-элементов

Сравнение трех различных технологических маршрутов

АспектPERCTOPConHJT
ПассивацияЗадняя пассивация Al₂O₃/SiNxПассивированный контакт SiO₂ + поли-SiГетеропереходная пассивация a-Si/c-Si
Ключевые этапы процессаЛицевая сторона: Диффузия фосфора для формирования n+ эмиттера, за которой следует трафаретная печать серебряных сеток.
Обратная сторона:
Нанесение оксида алюминия (слой пассивации) + нитрида кремния (защитный слой).
Лазерное травление (локальный контакт), за которым следует печать алюминиевого заднего поля.
Передняя сторона: Аналогично PERC (диффузия фосфора + трафаретная печать).
Обратная сторона:
Выращивает слой туннельного окисла SiO₂ толщиной 1-2 нм.
Наносит слой легированного фосфором аморфного кремния, отжигаемого для получения слоя n+ поликремния.
Наносит слой SiNx, затем трафаретно печатает электроды.
Очистка и текстурирование: Двухсторонняя текстуризация (требует чрезвычайно высокой чистоты).
Нанесение:
Наносит слои пассивации из intrinsic аморфного кремния (i-a-Si) на обе стороны.
Наносит p-типичный а-Si на лицевую сторону и n-типичный а-Si на тыльную (образуя гетеропереход).
Слой ТКО (прозрачного проводящего оксида): осаждение ITO (оксида индия олова) или подобных материалов.
Металлизация: Низкотемпературная серебряная паста + трафаретная печать (или медное травление).
МеталлизацияВысокотемпературная серебряная паста (>700°C)Высокотемпературная серебряная пастаНизкотемпературная серебряная паста (<200°C)
Температура процессаВысокая (>800°C)Высокая (отжиг >900°C)Низкая (<200°C)
Слой TCOНе требуетсяНе требуетсяТребуется (ITO и т.д.)
Эффективность~24%~26%~27%+
СтоимостьСамый низкийСреднийСамый высокий (оборудование + материалы)

Проектные случаи

1800 TPD Gold Processing Plant Expansion in Ghana

Расширение золотодобывающего завода мощностью 1800 тонн в день в Гане

Сырая руда: сульфидная золотая руда Уровень золота: 3,5 г/т Коэффициент извлечения золота: 92%

100 TPD Gold CIL Plant in Tanzania – Installation Completed!!!

100 ТПД Золотой CIL Завод в Танзании – Установка Завершена!!!

Сырая руда: оксидный золотой рудник, содержание золота: 3,5 г/т, чистота золотого слитка: 99,5%

1500 TPD Gold Mine CIL Expansion Project in Malaysia

Проект расширения золотоносной шахты с ЦИП мощностью 1500 ТПД в Малайзии

Сырьевая руда: рефракторные и полурефракторные сульфидные золотоносные руды. Содержание золота: 2,65 г/т. Чистота золотого слитка: ≥95,5%.

1200 TPD Lithium Ore Flotation Plant in Zimbabwe

1200 ТПД Завод по флотации литиевой руды в Зимбабве

Сырая руда: Литийсодержащая пегматитовая руда (главным образом сподумен) Содержание Li₂O: 1,15% Содержание концентрата: 5,5% Li₂O

500 TPD High-Purity Calcite Processing Plant in Guangxi

500 тонн в сутки завод по переработке высокочистого кальцита в Гуанси

Сырая руда: Руда кальцита CaCO3 Содержание: 85% Конечный продукт: Покрытый и непокрытый порошок кальцита (325 – 2500 меш)

Продукты

Решения

Кейс

связаться с нами

WhatsApp

Форма обратной связи