Процесс химического травления формирует пирамидальные текстуры или инвертированные пирамидальные структуры на поверхности кремниевых пластин, существенно повышая эффективность поглощения света в фотоэлектрических элементах. Этот критически важный производственный процесс необходим для повышения эффективности преобразования солнечных элементов.
Оборудование : Система текстурирования монокристаллических пластин в пакетном режиме
Выбор производителя: CHINA S.C.,Kingenious.,etc
Формирование слоя P+ для p-n-перехода: Использование BCl₃ при высоких температурах для формирования слоя P+ на поверхности кремниевой пластины, создавая p-n-переход, который обеспечивает генерацию носителей заряда в пластине.
Метод формирования p-n перехода в N-типе ячейках: Процесс формирования перехода в N-типе ячейках включает диффузию бора (B) в фосфор-легированный полупроводниковый материал, создавая p-n переход на границе между двумя легированными полупроводниковыми областями.
Оборудование:
Печь для диффузии бора (6 трубок)
Выбор производителя:
CHINA S.C., Laplace и др.
Удаление фосфоросиликатного стекла (PSG) с помощью HF
Реакция: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O
Механизм селективного пассивирования и полирования поверхности:
“Protective groups” (e.g., silane-based compounds) form an ordered monolayer on the oxide surface:
Создает барьер диффузии ОН⁻ → Препятствует травлению SiO₂
Ускоряет реакцию ОН⁻ с обратной стороной Si → Усиливает анизотропную травление на плоскостях {111}/{100}
Оборудование: Оборудование для удаления BSG в линию + Оборудование для щелочного полирования
Выбор производителя: CHINA S.C.,Kingenious.,etc
Принцип осаждения слоя оксида: Термическое окисление посредством диффузии кислорода при повышенных температурах, где кислород реагирует с кремнием, образуя кремниевый оксид.
Химическая реакция: O2+SiSiOx.
Принцип осаждения аморфного кремния (a-Si): Термическое разложение силана (SiH₄) в процессе CVD, образуя твердый кремний и водород в качестве побочных продуктов.
Химическая реакция: SiH₄(г) → Si(тв) + 2H₂(г)
Оборудование: система LPCVD
Производитель выбор: Laplace.,etc
P₂O₅, образующийся при разложении POCl₃, осаждается на поверхности кремниевой пластины. P₂O₅ реагирует с кремнием, образуя SiO₂ и атомы фосфора, и формирует слой фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины. Затем атомы фосфора диффундируют в кремний.
Реакция: 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P↓
Оборудование: Phosphorus diffusion furnace
Производитель выбор: CHINA S.C..,etc
Линейное мокрое травление для удаления PSG (задняя и боковые стенки)
Процесс: Цепной тип мокрой станции использует химию на основе HF для удаления фосфосиликатного стекла (PSG) с тыльной стороны и краёв пластины перед очисткой RCA.
The “protective groups” are selectively arranged in an orderly manner to enhance the protection of BPSG. After removing PSG on the POLY surface using an alkali polishing process, aOH+ADD is used to successfully protect SiO2 from being corroded by NaOH.
Оборудование: In-line PSG removal system+RCA cleaning machine
Производитель выбор: CHINA S.C..,etc
Принцип пассивации поверхности: АСО позволяет осаждать слои тонких пленок атомного масштаба послойно. Используя отрицательные фиксированные заряды Al₂O₃, оно создаёт электрическое поле на границе раздела, направленное в сторону объёма кремния. Это поле:
Отталкивает электроны от границы раздела Al₂O₃/Si в n-типе кремния
Уменьшает скорость рекомбинации на границе раздела (Seff < 10 см/с)
Повышает время жизни меньшинства носителей (Δτ > 1 мс)
Осаждение Al₂O₃ с использованием предшественника ТМА: Трихлормалюминий (ТМА) реагирует с водяным паром в циклическом процессе:
2AL(CH₃)₃ + 3H₂O = Al₂O₃ + 6CH₄
Оборудование: ALD
Производитель выбор: LEADMICRO.,etc
Плазма низкой температуры служит источником энергии, при этом кремниевая пластина размещается на катоде под воздействием тлеющего разряда низкого давления. Пластина нагревается до заданной температуры посредством тлеющего разряда (или дополнительного нагревательного элемента). Затем вводятся соответствующее количество SiH₄ и NH₃, которые подвергаются ряду химических и плазменных реакций для образования тонкой плёнки SiN.
Оборудование: 5-трубная плазменная CVD на лицевой стороне
Производитель выбор: CHINA S.C..,etc
Используя низкотемпературную плазму в качестве источника энергии, кремниевая пластина помещается на катод системы низкого давления с тлеющим разрядом. Пластина нагревается до заданной температуры посредством тлеющего разряда (или с помощью дополнительного нагревательного элемента). Затем вводится необходимое количество SiH₄ и NH₃, которые подвергаются ряду химических и плазменных реакций для образования тонкой твердой пленки (SiNₓ) на тыльной поверхности кремниевой пластины.
Оборудование: 5-tube back-side plasma-enhanced CVD
Производитель выбор: CHINA S.C..,etc
Во время печати паста наносится на сетку трафарета. Ракель оказывает контролируемое давление при движении по трафарету, проталкивая пасту через отверстия сетки на подложку. Паста прилипает в определённых границах благодаря своей вязкости.
Контролируемый зазор между трафаретом и подложкой позволяет натянутому трафарету отскочить от ракеля, сохраняя только подвижный линейный контакт. Это обеспечивает отрыв пасты от сетки во время разделения, гарантируя точность размеров. После печати ракель поднимается и...
Оборудование: Линия дублирующей трафаретной печати
Выбор производителя: CHINAMAXWELL и т.д.
Зона низких температур: В основном включает испарение и сгорание органических растворителей и связующих пасты.
Средняя стадия температур: В основном характеризуется плавлением стеклянной фритты и агрегацией частиц серебра.
Высокая стадия температуры: Преимущественно определяется реакциями между серебром, кремнием и расплавленным стеклом, образующими сплавы серебро-кремний.
Фаза охлаждения: В основном состоит из перекристаллизации и роста зерен частиц серебра на поверхности кремния.
Оборудование:Система интегрированной нагревательной печи и впрыска света (двухканальная)
Производитель выбор: CHINAMAXWELL и т.д.
Высокоинтенсивное лазерное облучение возбуждает носители заряда в солнечной батарее, при этом применяется смещающее напряжение, превышающее 10 В, что генерирует локализованный ток в несколько ампер. Это индуцирует спекание, вызывая взаимную диффузию между серебряной пастой и кремнием, что значительно снижает контактное сопротивление между металлом и полупроводником, тем самым улучшая коэффициент заполнения. Одновременно с процессом спекания время жизни носителей быстро прекращается после прохождения лазера, минимизируя повреждения исходного [материала].
Оборудование: Система лазерного легирования с двумя траекториями
Производитель выбор: Др., и т.д.
AOI (Автоматический оптический контроль) — устройство, основанное на оптических принципах, предназначенное для обнаружения распространённых визуальных дефектов, возникающих при производстве солнечных элементов.
Принцип EL (Электролюминесценции): к солнечной ячейке прикладывается прямой ток, используя обратный процесс фотоэффекта для засвечивания ячейки светом. Система визуализации захватывает сигнал и передаёт его программному обеспечению компьютера, которое обрабатывает данные и отображает изображение EL солнечного элемента на экране.
Принцип работы IV-тестера: солнечная батарея подвергается воздействию имитированного солнечного света, преобразуя световую энергию в электрическую и генерируя ток. Тестер одновременно измеряет ток и напряжение, а затем рассчитывает ключевые параметры, такие как мощность и эффективность, на основе полученных данных.
Оборудование: Двухканальный тестер и сортировщик солнечных элементов (система HALM, 150 ячеек)
Производитель выбор: CHINAMAXWELL и т.д.
Чтобы узнать больше о наших продуктах и решениях, пожалуйста, заполните форму ниже, и один из наших специалистов свяжется с вами в ближайшее время
3000 ТПД проект флотации золота в провинции Шаньдун
2500 ТПД флотации литиевой руды в Сычуани
Fax: (+86) 021-58779592
Адрес: Комната 606, здание D3, фаза II, бизнес-центр Чуансха, 777 Лонг, Мяочуань роад, район Пудунъ, Шанхай, Китай
Авторское право © 2023. Prominer (Шанхай) Mining Technology Co., Ltd.
