টেক্সচারিং

রাসায়নিক এঁটে দেওয়ার প্রক্রিয়া সিলিকন ওয়াফারের পৃষ্ঠতলে পিরামিডাকারের বা উল্টো পিরামিডের আকৃতির টেক্সচার তৈরি করে, যা সৌর কোষে আলো শোষণের দক্ষতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে। এই গুরুত্বপূর্ণ উৎপাদন প্রক্রিয়া সৌর কোষের রূপান্তর দক্ষতা উন্নত করার জন্য অপরিহার্য।

যন্ত্রপাতি: এককৃষ্টি স্নান-ভিত্তিক টেক্সচারিং ব্যবস্থা

নির্মাতা নির্বাচন: চীন এস.সি., কিংজেনিয়াস ইত্যাদি

বিএসজি অপসারণ + আলকালি পলিশিং

এইচএফ ব্যবহার করে ফসফোসিলিকেট গ্লাস (পিএসজি) অপসারণ
প্রতিক্রিয়া: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O

নির্বাচনী পৃষ্ঠা প্যাসিভেশন এবং পলিশিং প্রক্রিয়া:

“রক্ষাকারী গ্রুপ” (যেমন, সিলেন-ভিত্তিক যৌগ) অক্সাইড পৃষ্ঠায় একটি সুশৃঙ্খল একক স্তর তৈরি করে।

ওএইচ⁻ ডিফিউশন বাধা তৈরি করে → SiO₂ খোদাই বন্ধ করে

পিছনের দিকের Si-এর সাথে OH⁻ বিক্রিয়া ত্বরান্বিত করে → {111}/{100} তলগুলিতে অ্যানিসোট্রপিক খোদাই বাড়ায়

উপকরণ:ইন-লাইন BSG অপসারণ যন্ত্র + ক্ষারীয় পালিশিং যন্ত্র

নির্মাতা নির্বাচন: চীন এস.সি., কিংজেনিয়াস ইত্যাদি

প ডিফিউশন/অ্যানিলেন

POCl₃ এর বিশ্লেষণ দ্বারা উৎপন্ন P₂O₅ সিলিকন ওয়াফারের পৃষ্ঠে জমা হয়। P₂O₅ সিলিকনের সাথে বিক্রিয়া করে SiO₂ এবং ফসফরাস পরমাণু উৎপন্ন করে এবং সিলিকন ওয়াফারের পৃষ্ঠে ফসফোসিলেট গ্লাসের একটি স্তর তৈরি করে। তারপর ফসফরাস পরমাণু সিলিকনের মধ্যে ছড়িয়ে পড়ে।

প্রতিক্রিয়া: ২P₂O₅ + ৫Si = ৫SiO₂ + ৪P↓

উপকরণ:ফসফরাস ডিফিউশন ফার্নেস

নির্মাতাপছন্দ:চীন এস.সি.., ইত্যাদি

পৃষ্ঠা সক্রিয়করণের জন্য পারমাণবিক স্তর জমা (ALD)

পৃষ্ঠা সক্রিয়করণ নীতি: ALD পরমাণু-স্তরীয় পাতলা ছবির স্তর-দ্বারা-স্তর জমা করার ক্ষমতা রাখে। Al₂O₃ এর নেগেটিভ নির্দিষ্ট চার্জ ব্যবহার করে, এটি সিলিকনের ভরের দিকে পরিচালিত একটি ইন্টারফেস বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করে। এই ক্ষেত্রটি:

Al₂O₃/Si ইন্টারফেস থেকে ইলেকট্রনকে প্রতিহত করেএন-টাইপ সিলিকনে

ইন্টারফেস পুনঃসংযোগ বেগ (S_eff< 10 সেমি/সেকেন্ড) কমিয়ে দেয়

অল্প সংখ্যক বহনকারীর জীবনকাল বৃদ্ধি করে (Δτ > 1 মিলিসেকেন্ড)

অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড (Al₂O₃) নির্মাণের জন্য TMA পূর্বসূচী বিক্রিয়া প্রক্রিয়া: ট্রাইমেথাইল অ্যালুমিনিয়াম (TMA) জলীয় বাষ্পের সাথে একটি চক্রীয় প্রক্রিয়ায় বিক্রিয়া করে:
​2AL(CH₃)₃ + 3H₂O = Al₂O₃ + 6CH₄

উপকরণ: ALD

নির্মাতাপছন্দ: LEADMICRO., ইত্যাদি

পিছনের দিকের কোটিং

নিম্ন তাপমাত্রার প্লাজ্মাকে শক্তির উৎস হিসেবে ব্যবহার করে, সিলিকন ওয়াফারকে নিম্নচাপের প্রভাজন ব্যবস্থার ক্যাথোডে স্থাপন করা হয়। ওয়াফারকে প্রভাজন (অথবা একটি অতিরিক্ত উত্তপ্ত উপাদানের মাধ্যমে) দ্বারা নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় উত্তপ্ত করা হয়। তারপর উপযুক্ত পরিমাণে SiH₄ এবং NH₃ প্রবেশ করানো হয়, যা সিলিকন ওয়াফারের পিছনের পৃষ্ঠে একটি কঠিন পাতলা ফিল্ম (SiNₓ) তৈরি করার জন্য রাসায়নিক এবং প্লাজমা বিক্রিয়ার একটি সিরিজের মধ্য দিয়ে যায়।

উপকরণ:৫-টি টিউব পিছনের প্লাজমা-বর্ধিত CVD

নির্মাতাপছন্দ:চীন এস.সি.., ইত্যাদি

ভেজানো ভার্তি চুল্লি

নিম্ন তাপমাত্রা অঞ্চল: প্রধানত পেস্টের জৈব দ্রাবক এবং বাইন্ডারের বাষ্পীভবন এবং দহন জড়িত।
মাঝারি তাপমাত্রার পর্যায়: প্রধানত কাচের ফ্রিটের গলনাঙ্ক এবং রূপার কণার একত্রীকরণ দ্বারা চিহ্নিত।
উচ্চ তাপমাত্রার পর্যায়: রূপা, সিলিকন এবং গলিত কাচের মধ্যে বিক্রিয়ার দ্বারা প্রভাবিত, যা রূপা-সিলিকন মিশ্রণ তৈরি করে।
শীতলকরণ পর্যায়: প্রধানত সিলিকনের পৃষ্ঠে রূপার কণার পুনঃস্ফটিককরণ এবং শস্যের বৃদ্ধি জড়িত।

উপকরণ:চুল্লির গুলি ও আলোর প্রবেশন একীভূত ব্যবস্থা (দ্বি-পথিক)

নির্মাতাপছন্দ: চাইনাম্যাক্সওয়েল, ইত্যাদি

শ্রেণীবিন্যাস এবং পরীক্ষা

এওআই (স্বয়ংক্রিয় অপটিক্যাল পরীক্ষা) সৌরকোষ উৎপাদনের সময় দেখা যায় এমন সাধারণ দৃশ্যগত ত্রুটি শনাক্ত করার জন্য অপটিক্যাল নীতির উপর ভিত্তি করে একটি যন্ত্র।
ইএল (ইলেক্ট্রোলুমিনেসেন্স) নীতি: সৌরকোষে একটি অগ্রগামী প্রবাহ প্রয়োগ করা হয়, ফোটোভোল্টাইক প্রভাবের বিপরীত প্রক্রিয়া ব্যবহার করে কোষটি আলো নির্গত করার জন্য। চিত্রগ্রহণ ব্যবস্থা সংকেতটি ধারণ করে এবং কম্পিউটার সফ্টওয়্যারে প্রেরণ করে, যা তথ্য প্রক্রিয়া করে এবং পর্দায় সৌরকোষের ইএল ছবি প্রদর্শন করে।
আইভি টেস্টার নীতি: সৌরকোষকে মিথ্যা সূর্যালোকের সংস্পর্শে আনা হয়, যা আলোক শক্তিকে বৈদ্যুতিক শক্তিতে রূপান্তরিত করে এবং তড়িৎ উৎপন্ন করে। পরীক্ষক একইসাথে তড়িৎ এবং ভোল্টেজ পরিমাপ করে, তারপর তথ্যের উপর ভিত্তি করে শক্তি এবং দক্ষতা সহ মূল পরামিতি গণনা করে।

উপকরণ: দ্বি-পথ সৌরকোষ পরীক্ষক ও শ্রেণীবদ্ধকারী (হ্যালম সিস্টেম, ১৫০-বিং)

নির্মাতাপছন্দ: চাইনাম্যাক্সওয়েল, ইত্যাদি