O processo de ataque químico forma texturas piramidais ou estruturas de pirâmides invertidas nas superfícies das pastilhas de silício
Equipamento : Sistema de texturização em lote monocristalino
Escolha do Fabricante: CHINA S.C.,Kingenious.,etc
Formação de Camada P+ para Junção PN: Utilizando BCl₃ em altas temperaturas para formar uma camada P+ na superfície do wafer de silício, criando uma junção PN que permite a geração de portadores no wafer.
Método de Formação de Junção Celular N-tipo: O processo de formação da junção para células N-tipo envolve a difusão de boro (B) em material semicondutor dopado com fósforo, criando uma junção PN na interface entre as duas regiões semicondutoras dopadas.
Equipamentos:
Forno de difusão de boro (6 tubos)
Escolha do Fabricante:
CHINA S.C., Laplace, etc.
Remoção de vidro fosfosilicato (PSG) usando HF
Reação: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O
Mecanismo de passivação e polimento seletivo da superfície:
“Protective groups” (e.g., silane-based compounds) form an ordered monolayer on the oxide surface:
Cria uma barreira à difusão de OH⁻ → Evita o ataque do SiO₂
Acelera a reação de OH⁻ com o Si da parte de trás → Melhora o ataque anisótropo nos planos {111}/{100}
Equipamentos: Equipamentos de remoção de BSG em linha + Equipamentos de polimento alcalino
Escolha do fabricante: CHINA S.C.,Kingenious.,etc
Princípio de deposição da camada de óxido: Oxidação térmica via difusão de oxigênio em temperaturas elevadas, onde o oxigênio reage com o silício para formar óxido de silício.
Reação química: O2 + Si → SiOx.
Princípio de deposição de Silício amorfo (a-Si): Decomposição térmica do silano (SiH₄) em processo CVD, produzindo silício em fase sólida e hidrogênio como subprodutos.
Reação química: SiH₄(g) → Si(s) + 2H₂(g)
Equipamentos: Sistema LPCVD
Fabricante escolha: Laplace.,etc
O P2O5 produzido pela decomposição do POCl3 é depositado na superfície da pastilha de silício. O P2O5 reage com o silício para gerar SiO2 e átomos de fósforo, formando uma camada de vidro fosfosilicato na superfície da pastilha de silício. Os átomos de fósforo então difundem-se no silício.
Reação: 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P↓
Equipamentos: Phosphorus diffusion furnace
Fabricante escolha: CHINA S.C..,etc
Gravação Úmida Inline para Remoção de PSG (Laterais e Fundo)
Processo: Estação úmida em cadeia utiliza química à base de HF para remover o vidro fosfatossilicato (PSG) da parte de trás e bordas do wafer antes da limpeza RCA.
The “protective groups” are selectively arranged in an orderly manner to enhance the protection of BPSG. After removing PSG on the POLY surface using an alkali polishing process, aOH+ADD is used to successfully protect SiO2 from being corroded by NaOH.
Equipamentos: In-line PSG removal system+RCA cleaning machine
Fabricante escolha: CHINA S.C..,etc
Princípio da Passivação de Superfície: A ALD permite o depósito camada por camada de filmes finos atômicos. Utilizando as cargas fixas negativas do Al₂O₃, cria-se um campo elétrico interfacial direcionado para o substrato de silício. Este campo:
Repele elétrons da interface Al₂O₃/Si em n-tipo de silício
Reduz a velocidade de recombinação na interface (Seff < 10 cm/s)
Melhora a vida útil dos portadores minoritários (Δτ > 1 ms)
Deposição de Al₂O₃ via mecanismo de reação de precursor TMA: Trimetilalumínio (TMA) reage com vapor de água em um processo cíclico:
2AL(CH3)3 + 3H2O = Al2O3 + 6CH4
Equipamentos: ALD
Fabricante escolha: LEADMICRO.,etc
O plasma de baixa temperatura serve como fonte de energia, com o wafer de silício colocado no cátodo sob descarga luminescente de baixa pressão. O wafer é aquecido a uma temperatura predeterminada por meio de descarga luminescente (ou um elemento de aquecimento adicional).
Equipamentos: Revestimento de plasma assistido por CVD em 5 tubos na face frontal
Fabricante escolha: CHINA S.C..,etc
Utilizando o plasma de baixa temperatura como fonte de energia, o substrato de silício é colocado no cátodo de um sistema de descarga de baixa pressão. O substrato é aquecido a uma temperatura pré-determinada através da descarga (ou com um elemento de aquecimento adicional). Uma quantidade apropriada de SiH₄ e NH₃ é então introduzida, sofrendo uma série de reações químicas e de plasma para formar uma fina película sólida (SiNx) na superfície posterior do substrato de silício.
Equipamentos: 5-tube back-side plasma-enhanced CVD
Fabricante escolha: CHINA S.C..,etc
Durante a impressão, a pasta é aplicada na tela de malha. O raspador exerce pressão controlada ao atravessar a tela, forçando a pasta através dos orifícios da malha para o substrato. A pasta adere dentro de limites definidos devido à sua viscosidade.
Um espaço controlado entre a tela e o substrato permite que a tela tensionada se recobre do raspador, mantendo apenas um contato de linha em movimento. Isso cria o desligamento da pasta da malha durante a separação, garantindo precisão dimensional. Após a impressão, o raspador se levanta e
Equipamentos: Linha de serigrafia dupla
Escolha do fabricante: CHINAMAXWELL., etc
Zona de baixa temperatura: Envolve principalmente a evaporação e combustão dos solventes orgânicos e aglomerantes da pasta.
Estágio de temperatura intermediária: Caracterizado principalmente pela fusão do vidro em pó e pela agregação de partículas de prata.
Estágio de alta temperatura: Dominado por reações entre prata, silício e vidro fundido, formando ligas de prata-silício.
Fase de resfriamento: Consiste principalmente na recristalização e crescimento de grão das partículas de prata na superfície do silício.
Equipamentos:Sistema integrado de forno de queima e injeção de luz (dupla trilha)
Fabricante escolha: CHINAMAXWELL., etc
A irradiação a laser de alta intensidade excita os portadores de carga na célula solar, enquanto uma tensão de polarização superior a 10V é aplicada, gerando uma corrente localizada de vários amperes. Isso induz a sinterização, desencadeando a difusão mútua entre a pasta de prata e o silício, reduzindo significativamente a resistência de contato entre o metal e o semicondutor, melhorando assim o fator de preenchimento. Enquanto isso, durante todo o processo de sinterização, o tempo de vida dos portadores termina rapidamente após a passagem do laser, minimizando os danos ao o
Equipamentos: Sistema de dopagem a laser de duas faixas
Fabricante escolha: DR., etc
A inspeção óptica automática (AOI) é um dispositivo baseado em princípios ópticos para detectar defeitos visuais comuns encontrados durante a produção de células solares.
Princípio do EL (Eletroluminescência): Uma corrente direta é aplicada à célula solar, utilizando o processo inverso ao efeito fotovoltaico para fazer a célula emitir luz. O sistema de imagem captura o sinal e o transmite para um software de computador, que processa os dados e exibe a imagem EL da célula solar na tela.
Princípio do Testador IV: A célula solar é exposta a luz solar simulada, convertendo energia luminosa em energia elétrica e gerando corrente. O testador mede simultaneamente a corrente e a tensão, e calcula parâmetros chave como potência e eficiência com base nos dados.
Equipamentos:Testador e classificador de células solares de dupla trilha (sistema HALM, 150 compartimentos)
Fabricante escolha: CHINAMAXWELL., etc
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