Ubicado en Guinea, este proyecto a gran escala cuenta con una capacidad de procesamiento de 15,000 TPD (Toneladas Por Día).
Rápida rentabilidad de la inversión con un sistema de producción de celdas integrado y tecnología madura
Hemos seleccionado cuidadosamente un lote de equipos de segunda mano de muy buena calidad. En comparación con el equipo nuevo, presentan claras ventajas de precio.
Tecnología Perk
Include: Monocrystalline Batch Texturing Equipment, Batch Texturing Loader/Unloader,Low-Pressure Soft-Landing Closed-Tube Diffusion System…
Tecnología TOPCon
Such as: Boron diffusion furnace, BSG removal, Alkali polishing machine, PE-POLY…
Nuestra empresa cuenta con un equipo profesional y con amplia experiencia, y puede proporcionarle el mejor servicio.
Estrategia de proyecto
Propuesta de proyecto
Plan de selección de sitio
Informe de estudio de factibilidad Plan de implementación del proyecto Evaluación de seguridad de la producción
Estructura civil
Sistema de suministro de procesos
Mecánica y HVAC
Protección ambiental y seguridad
Diseño de tuberías 3D
Erección e instalación en sitio y operación del primer año.
Operación de la planta durante el primer año
Capacitación tecnológica
Las células monocristalinas se dividen en tipo P y tipo N según el tipo de dopado de las obleas de silicio. Las obleas de silicio tipo P se fabrican dopando el material de silicio con boro, mientras que las obleas de silicio tipo N se fabrican dopando el material con fósforo.
| Aspecto | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Pasivación | Pasivación trasera Al₂O₃/SiNx | Contacto pasivado SiO₂ + poli-Si | Pasivación heterojunta a-Si/c-Si |
| Pasos Clave del Proceso | Lado Frontal: Difusión de fósforo para formar el emisor n+, seguido de líneas de rejilla de plata impresas en pantalla. Lado Trasero: Depósito de óxido de aluminio (capa de pasivación) + nitruro de silicio (capa protectora). Grabado láser (contacto local) seguido de impresión de campo trasero de aluminio. | Cara frontal: Similar a PERC (difusión de fósforo + serigrafía). Lado Trasero: Forma una capa de óxido de túnel de 1-2 nm (SiO₂). Deposita silicio amorfo dopado con fósforo, recocido para formar una capa de polisilicio n+. Recubre con SiNx, luego serigrafía los electrodos. | Limpieza y Texturizado: Texturizado de doble cara (requiere una limpieza extremadamente alta). Deposición: Deposita capas de pasivación de silicio amorfo intrínseco (i-a-Si) en ambos lados. Deposita a-Si tipo p en la cara frontal y a-Si tipo n en la trasera (formando la heterojunción). Capa de Óxido Conductor Transparente (TCO): Depósitos de Óxido de Indio y Estaño (ITO) o materiales similares. Metalización: Pasta de plata a baja temperatura + serigrafía (o galvanizado de cobre). |
| Metalización | Pasta de plata a alta temperatura (>700°C) | Pasta de plata a alta temperatura | Pasta de plata a baja temperatura (<200°C) |
| Temperatura del proceso. | Alta (>800°C) | Alta (recocido >900°C) | Baja (<200°C) |
| Capa TCO | No requerida | No requerida | Requerida (ITO, etc.) |
| Eficiencia | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Costo | Más bajo | Moderado | Más alto (equipo + materiales) |
Ubicado en Guinea, este proyecto a gran escala cuenta con una capacidad de procesamiento de 15,000 TPD (Toneladas Por Día).
Materia prima: escoria de carbono de la electrólisis de aluminio Grado de alimentación: contenido de criolita del 15–20% Producto final: criolita reciclada (puridad ≥ 92%)
Desde las pruebas de laboratorio hasta la puesta en marcha final, Prominer entregó una solución personalizada de 20 TPH.
Aumentar la recuperación de cobre y reducir el consumo de energía a través de pre-concentración de vanguardia y la experiencia de más de 15 años de EPC de Prominer.
Ubicado en Indonesia, este proyecto se centra en la molienda eficiente de mineral de níquel para mejorar la mejora mineral y el procesamiento profundo. Prominer (Shanghai) Mining Technology Co., Ltd.
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Proyecto de Flotación de Oro de 3000 TPD en la Provincia de Shandong
Flotación de Minerales de Litio de 2500 TPD en Sichuan
Fax: (+86) 021-58779592
Dirección: Habitación 606, Edificio D3, Fase II, Centro de Negocios Chuansha, 777 Long, Calle Miaochuan, Área de Pudong Nuevo, Shanghái, China.
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