ギニアに位置するこの大規模プロジェクトは、処理能力が1万5,000トン/日（TPD）です。
統合されたセル生産システムと成熟した技術で、投資回収期間が短い
高品質な中古設備一式を厳選いたしました。新品と比較して価格面で大きなメリットがあり、使用上もほとんど遜色ございません。
パーフェクトテクノロジー
含まれるもの：単結晶バッチテキストチャリング設備、バッチテキストチャリングローダー/アンローダー、低圧ソフトランディングクローズドチューブ拡散システム…
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単結晶太陽電池は、シリコンウェーハのドーピングタイプに応じて、P型とN型に分類されます。P型シリコンウェーハは、シリコン材料にホウ素をドープすることによって作られ、N型シリコンウェーハは、リンをドープすることによって作られます。
| アスペクト | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| パッシベーション | Al₂O₃/SiNx 後面パッシベーション | SiO₂ + ポリSi パッシベーション接触 | a-Si/c-Si ヘテロ接合パッシベーション |
| 主要プロセスステップ | 前面: n+ エミッタを形成するためのリン拡散、続いてスクリーン印刷による銀グリッド線。 後面: 酸化アルミニウム（パッシベーション層）+窒化ケイ素（保護層）の堆積。 レーザー溝入れ（局所接触）の後、アルミニウム裏面電極印刷。 | 前面: PERC と同様（リン拡散 + スクリーン印刷）。 後面: 1～2nmのトンネル酸化膜（SiO₂）を成長させる。 リンを添加した非晶質シリコンを堆積させ、アニール処理してn+多結晶シリコン層を形成する。 SiNxでコーティングし、次に電極をスクリーン印刷する。 | 洗浄・テクスチャリング：両面テクスチャリング（極めて高い清浄度が必要）。 堆積: 両面に本質的な非晶質シリコン（i-a-Si）の被覆層を堆積する。 前側にp型a-Si、後側にn型a-Siを堆積し（ヘテロ接合を形成する）。 透明導電性酸化物層：ITO（酸化インジウムスズ）または類似物質を堆積する。 メッキ：低温銀ペースト＋スクリーン印刷（または銅めっき） |
| メッキ | 高温銀ペースト（>700℃） | 高温銀ペースト | 低温銀ペースト（<200℃） |
| プロセス温度 | 高温（>800℃） | 高温（アニール>900℃） | 低温（<200℃） |
| TCO層 | 不要 | 不要 | 必要（ITOなど） |
| 効率 | ～24% | ～26% | ～27%+ |
| コスト | 最低 | 中程度 | 最高（設備＋材料） |
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