/

/

Echipamente de producție second-hand pentru celule fotovoltaice

Echipamente fotovoltaice utilizate pentru fabricarea PERC/TOPCon

Tehnologie Perk

Include: Echipamente de texturare monocristalină în lot, Încărcător/descărcător pentru texturare în lot, Sistem de difuzie în tub închis cu aterizare moale la presiune scăzută…

Tehnologie TOPCon

Cum ar fi: cuptor de difuzie cu bor, îndepărtare BSG, mașină de lustruire alcalină, PE-POLY…

Serviciile noastre

Consultanță

Proiectare inginerie

Achiziționarea echipamentelor

Diferite rute tehnice pentru celule PV

Compararea a trei Metode Tehnice Diferite

AspectPERCTOPConHJT
PasivizarePasivizare spate Al₂O₃/SiNxContact pasivizat SiO₂ + poli-SiPasivizare heterojoncțiune a-Si/c-Si
Etapele cheie ale procesuluiFața frontală: Difuzie de fosfor pentru formarea emițătorului n+, urmată de linii de grilă din argint imprimate prin ecran.
Fața posterioară:
Depunere de oxid de aluminiu (strat de pasivizare) + nitrură de siliciu (strat protector).
Grooving laser (contact local), urmat de imprimare a câmpului posterior din aluminiu.
Față: Similar cu PERC (difuzie fosfor + imprimare ecran).
Fața posterioară:
Crește un strat de oxid de tunelare de 1-2 nm (SiO₂).
Depune siliciu amorf dopat cu fosfor, tratat termic pentru a forma un strat de polisiliciu n+.
Acoperă cu SiNx, apoi imprimă ecran straturile de electrozi.
Curățare și Texturare: Texturare pe ambele fețe (necesită o curățenie extrem de înaltă).
Depunere:
Depune straturi de pasivizare din siliciu amorf intrinsec (i-a-Si) pe ambele fețe.
Depune a-Si de tip p pe față și a-Si de tip n pe spate (formând heterojunctia).
Strat de oxid transparent conductor (TCO): Depunere de ITO (oxid de staniu-indiu) sau materiale similare.
Metalizare: Pastă de argint la temperatură joasă + serigrafie (sau placare cu cupru).
MetalizarePastă de argint la temperatură înaltă (>700°C)Pastă de argint la temperatură înaltăPastă de argint la temperatură joasă (<200°C)
Temperatura procesuluiÎnaltă (>800°C)Înaltă (revenire >900°C)Joasă (<200°C)
Strat TCONu este necesarNu este necesarNecesar (ITO, etc.)
Eficiență~24%~26%~27%+
CostCel mai scăzutModeratCel mai înalt (echipament + materiale)

Cazuri de proiect

500 TPD Copper Flotation Optimization & Slurry Flow Regulation Project

Proiectul de optimizare a flotării cuprului și reglarea fluxului de suspensie de 500 TPD

Minereu Brut: Minereu de cupru sulfit Cupru Grad: 1.2% Rata de Recuperare țintă prin Flotare: 92%

1500 TPD Molybdenum Flotation Plant in China

Uzina de flotare a molibdenului de 1500 TPD în China

Minereu Brut: Minereu de Molybden (Molybdenit) Tip Sulfid: 0,15% Mo Concentrat Grad: ≥ 55% Mo

800 TPD Tailings All-Slime Cyanidation CIL Plant in Ghana

Centrala de cianurare CIL cu nămoluri cu 800 TPD în Ghana

Raw Material: Existing gold plant tailings (All-slime) Gold Grade in Tailings: 1.2 g/t Final Product: Gold Ingot

2,000 TPD Copper Ore Beneficiation Plant in Kazakhstan

Uzina de beneficiere a minereului de cupru de 2.000 TPD în Kazakhstan

Minereu brut: Minereu de cupru de tip sulfid (în principal calcopirit) Grad de cupru: 0,8% Produs final: Concentrat de cupru

2000 TPD Tailings Storage Facility & Dry Stacking System in Peru

Facilitate de Stocare a Deșeurilor de 2000 TPD și Sistem de Stivuire Uscată în Peru

Materie primă: suspensie de deșeuri din mina de aur de la planta CIL Conținutul de solide în deșeuri: 35-40% Densitate finală la stivuire: 1.6-1.8 t/m³

Produse

Solutii

Caz

contactați-ne

WhatsApp

Formular de Contact