كۆرپە يوپۇقلىقى ئۈچۈن ئىككىنچى قول ئۈسكۈنىلەر

بىرلەشتۈرۈلگەن خوجايىن ئۈسكىنىسى ۋە يېتىلگەن تېخنىكا بىلەن تېز سېرىقلىقنى قايتۇرۇپ بېرىدۇ

بىز بىلەن ئالاقىلىشىڭ

PERC/TOPCon ئىشلەپچىقىرىشى ئۈچۈن فوتوۋولتاي ئۈسكىنىسىدىن پايدىلاندى

بىز ناھايىتى ياخشى سۈپەتلىك ئىككىنچى قول ئۈسكىنىلەرنىڭ بىر تۈركۈمىنى ئەستايىدىل تاللىدىق. يېڭى ئۈسكىنىلەرگە قارىغاندا، ئۇلارنىڭ باھاسىنىڭ ئەلۋەتتە ئارتۇقچىلىقى بار.

پەرك تېخنىكا

ئىككىنچى قول PERC كۆرەشلىك (ياكى كۆرەشلىك) قۇياش پارقىتى ئۈسكۈنىسى

قىسمەت: مۆنەۋەر تۈرلۈك يۈكلىمە تېخىمى ئۈسكۈنىلىرى، يۈكلىمە/يۆكلەش ماشىنىلىرى، تۆۋەن بېسىملىق يۇمشاق قونۇش يېپىق نەلۋا تۈپىمى تېخنىكىسى...

تېخىمۇ كۆپ ئوقۇش

TOPCon تېخنىكا

ئىككىنچى قولTOPCONكۇن نۇرىلىق ئۈچۈن ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىش ئۈسكۈنىلىرى

مەسىلەن: بور تۈپىمىنى تېخىمى، BSG نى چىقىرىپ تاشلاش، قاتتىق قەۋەتلىك پولىرلاش ماشىنىسى، PE-POLY...

تېخىمۇ كۆپ ئوقۇش

خىزمەتلىرىمىز

شىركىتىمىز كەسپىي كوماندىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ، كەڭ تەجرىبىگە ئىگە، سىزگە ئەڭ ياخشى خىزمەت بىلەن تەمىنلەيدۇ

مەسلىھەتچىلىك

لۆھىنىڭ تەدبىرى

لە پروژە تەكلىپنامىسى

سايت تاللاش پىلانى

ئىمكانىيەت ئۆگىنىشىنىڭ ھېساباتى پروژە ئىجرا پىلانى خەۋەپسىز ئىشلەپچىقىش باھالاش

پىلان سەنئەت

ئىنژېنېرلىق قۇرۇلمىسى

جەريانلارنى تەمىنلەش سىستېمىسى

مېخانىك ۋە HVAC

مۇھىت مۇھاپىزلىقى ۋە خەۋەپسىزلىك

3D نەقشە بويىچە نەقشە قۇرۇش

جىھاز سېتىۋېلىش

ساھەدىكى ئورنىتىش ۋە كىيىنچەكلىنىش ۋە بىرىنچى يىللىق ئىشلىتىش.

بىرىنچى يىللىق زاۋۇت ئىشلىتىش

تېخنىكا ئۆگىتىش

تولۇق خىزمەتلەر توغرىسىدا بىلىڭ

كۆپ قۇتۇپلۇق ھۈجەيرىلەرنىڭ ئوخشىمىغان تېخنىكىلىق يوللىرى

يەككە تاللىق ھۈجەيرىلەر سىلىكون تاختايلىرىنىڭ قوشۇمچە زاتنىڭ تۈرىگە ئاساسەن P تىپى ۋە N تىپىگە بۆلۈنىدۇ. P تىپلىق سىلىكون تاختايلىرى سىلىكون ماددىلىرىغا بۆرە قوشۇش ئارقىلىق ياسالغان، N تىپلىق<

Üchنىڭ سېلىشتۇرمىسى ئۇيغۇرچە تەرجىمە: مۇختەلىپ تېخنىكىلىق يوللار

جەھەت	PERC	TOPCon	HJT
پايدىلىنىش	Al₂O₃/SiNx ئارقا پايدىلىنىش	SiO₂ + پولى-Si پايدىلىنىشلىق ئالاقىسى	a-Si/c-Si گېتېرلىك ئۇيغۇنلىشىش پايدىلىنىشى
مۇھىم جەريان باسقۇچلىرى	ئالدى تەرىپ: n+ ئېمىتېر ياساش ئۈچۈن فوسفور تارقىلىشى، ئاندىن ئېكران چاپلىغان كۈمۈش تور سىزىقلار. ئارقا تەرىپ: ئالۇمىنىي ئوكسىد (پايدىلىنىش قەۋىتى) + سىلىكون نىتىرىد (قوغداش قەۋىتى)نى چۆكمە قىلىش. لازېر ئۆيى (مەھەللە ئالاقىسى) ، ئاندىن ئالۇمىنىي ئارقا مەيدان چاپلىشى.	ئالدى تەرىپ: PERC گە ئوخشاش (فوسفور تارقىلىشى + ئېكران چاپلىشى). ئارقا تەرىپ: 1-2 نانومېتر چوڭلۇقتىكى ئۆتۈش قەۋىتى (SiO₂) ئۆسۈپ چىقىدۇ. فوسفور بىلەن ئارىلاشقان ئامورف سىلىكون قەۋىتىنى چۆكمە قىلىپ، ئاندىن ئۇنى ئىسسىتىش ئارقىلىق n+ بولغان پولىسىلىكون قەۋىتىنى شەكىللەندۈرىدۇ. SiNx بىلەن قاپلاپ، ئاندىن ئېلېكترودلارنى ئېكران چاپلايدۇ.	تازىلاش ۋە يۈزلەرنى ئۆزگەرتىش: ئىككى تەرەپلىك يۈزلەرنى ئۆزگەرتىش (چوڭقۇر تازىلىققا ئېھتىياجلىق). چۆكمە: ئىككى تەرەپكە ئۆزگەرتىلمىگەن ئامورف سىلىكون (i-a-Si) قوغداش قەۋەتلىرىنى چۆكمە قىلىدۇ. ئالدى تەرەپكە p تىپلىق a-Si، ئارقى تەرەپكە n تىپلىق a-Si چۆكمە قىلىپ (گېتېرۆزۆتۈش قەۋىتىنى شەكىللەندۈرىدۇ). TCO (شەفاف ئېلىكتىر ئاچقۇچى قەۋەت): ITO (ئىندىي قورغاچنىڭ ئۆكسىدلىنىشى) ياكى ئوخشاش ماددىلارنى چۆكمە قىلىدۇ. مەتاللىلاشقان: تۆۋەن تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا + ئېكران چاپلاش (ياكى مىس قاپلاش).
مەتاللىلاشقان	يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا (>700°C)	يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا	تۆۋەن تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا (<200°C)
جەريان تېمپېراتۇرىسى	يۇقىرى (>800°C)	يۇقىرى (ئۇسلۇپلاش >900°C)	تۆۋەن (<200°C)
TCO قەۋىقى	تالاپ قىلىنمىغان	تالاپ قىلىنمىغان	تالاپ قىلىنغان (ITO، ھەم شۇنىڭغا ئوخشاش)
ئەنجام	~24%	~26%	~27%+
قىممەت	ئەڭ تۆۋەن	ئوتتۇرا	ئەڭ يۇقىرى (ئۈسكۈنە + ماتېرىياللار)