راۋ ماتېرىيال: ياشىل نەپتۈن قوك، ياشىل ئۈلۈم ئوق ۋە يۇقىرى يۇمشاق نوپۇزلۇق پىچ
بىرلەشتۈرۈلگەن خوجايىن ئۈسكىنىسى ۋە يېتىلگەن تېخنىكا بىلەن تېز سېرىقلىقنى قايتۇرۇپ بېرىدۇ
بىز ناھايىتى ياخشى سۈپەتلىك ئىككىنچى قول ئۈسكىنىلەرنىڭ بىر تۈركۈمىنى ئەستايىدىل تاللىدىق. يېڭى ئۈسكىنىلەرگە قارىغاندا، ئۇلارنىڭ باھاسىنىڭ ئەلۋەتتە ئارتۇقچىلىقى بار.
پەرك تېخنىكا
قىسمەت: مۆنەۋەر تۈرلۈك يۈكلىمە تېخىمى ئۈسكۈنىلىرى، يۈكلىمە/يۆكلەش ماشىنىلىرى، تۆۋەن بېسىملىق يۇمشاق قونۇش يېپىق نەلۋا تۈپىمى تېخنىكىسى...
TOPCon تېخنىكا
مەسىلەن: بور تۈپىمىنى تېخىمى، BSG نى چىقىرىپ تاشلاش، قاتتىق قەۋەتلىك پولىرلاش ماشىنىسى، PE-POLY...
شىركىتىمىز كەسپىي كوماندىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ، كەڭ تەجرىبىگە ئىگە، سىزگە ئەڭ ياخشى خىزمەت بىلەن تەمىنلەيدۇ
لۆھىنىڭ تەدبىرى
لە پروژە تەكلىپنامىسى
سايت تاللاش پىلانى
ئىمكانىيەت ئۆگىنىشىنىڭ ھېساباتى پروژە ئىجرا پىلانى خەۋەپسىز ئىشلەپچىقىش باھالاش
ئىنژېنېرلىق قۇرۇلمىسى
جەريانلارنى تەمىنلەش سىستېمىسى
مېخانىك ۋە HVAC
مۇھىت مۇھاپىزلىقى ۋە خەۋەپسىزلىك
3D نەقشە بويىچە نەقشە قۇرۇش
ساھەدىكى ئورنىتىش ۋە كىيىنچەكلىنىش ۋە بىرىنچى يىللىق ئىشلىتىش.
بىرىنچى يىللىق زاۋۇت ئىشلىتىش
تېخنىكا ئۆگىتىش
يەككە تاللىق ھۈجەيرىلەر سىلىكون تاختايلىرىنىڭ قوشۇمچە زاتنىڭ تۈرىگە ئاساسەن P تىپى ۋە N تىپىگە بۆلۈنىدۇ. P تىپلىق سىلىكون تاختايلىرى سىلىكون ماددىلىرىغا بۆرە قوشۇش ئارقىلىق ياسالغان، N تىپلىق<
جەھەت | PERC | TOPCon | HJT |
---|---|---|---|
پايدىلىنىش | Al₂O₃/SiNx ئارقا پايدىلىنىش | SiO₂ + پولى-Si پايدىلىنىشلىق ئالاقىسى | a-Si/c-Si گېتېرلىك ئۇيغۇنلىشىش پايدىلىنىشى |
مۇھىم جەريان باسقۇچلىرى | ئالدى تەرىپ: n+ ئېمىتېر ياساش ئۈچۈن فوسفور تارقىلىشى، ئاندىن ئېكران چاپلىغان كۈمۈش تور سىزىقلار. ئارقا تەرىپ: ئالۇمىنىي ئوكسىد (پايدىلىنىش قەۋىتى) + سىلىكون نىتىرىد (قوغداش قەۋىتى)نى چۆكمە قىلىش. لازېر ئۆيى (مەھەللە ئالاقىسى) ، ئاندىن ئالۇمىنىي ئارقا مەيدان چاپلىشى. | ئالدى تەرىپ: PERC گە ئوخشاش (فوسفور تارقىلىشى + ئېكران چاپلىشى). ئارقا تەرىپ: 1-2 نانومېتر چوڭلۇقتىكى ئۆتۈش قەۋىتى (SiO₂) ئۆسۈپ چىقىدۇ. فوسفور بىلەن ئارىلاشقان ئامورف سىلىكون قەۋىتىنى چۆكمە قىلىپ، ئاندىن ئۇنى ئىسسىتىش ئارقىلىق n+ بولغان پولىسىلىكون قەۋىتىنى شەكىللەندۈرىدۇ. SiNx بىلەن قاپلاپ، ئاندىن ئېلېكترودلارنى ئېكران چاپلايدۇ. | تازىلاش ۋە يۈزلەرنى ئۆزگەرتىش: ئىككى تەرەپلىك يۈزلەرنى ئۆزگەرتىش (چوڭقۇر تازىلىققا ئېھتىياجلىق). چۆكمە: ئىككى تەرەپكە ئۆزگەرتىلمىگەن ئامورف سىلىكون (i-a-Si) قوغداش قەۋەتلىرىنى چۆكمە قىلىدۇ. ئالدى تەرەپكە p تىپلىق a-Si، ئارقى تەرەپكە n تىپلىق a-Si چۆكمە قىلىپ (گېتېرۆزۆتۈش قەۋىتىنى شەكىللەندۈرىدۇ). TCO (شەفاف ئېلىكتىر ئاچقۇچى قەۋەت): ITO (ئىندىي قورغاچنىڭ ئۆكسىدلىنىشى) ياكى ئوخشاش ماددىلارنى چۆكمە قىلىدۇ. مەتاللىلاشقان: تۆۋەن تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا + ئېكران چاپلاش (ياكى مىس قاپلاش). |
مەتاللىلاشقان | يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا (>700°C) | يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا | تۆۋەن تېمپېراتۇرىلىق كۈمۈش پاستا (<200°C) |
جەريان تېمپېراتۇرىسى | يۇقىرى (>800°C) | يۇقىرى (ئۇسلۇپلاش >900°C) | تۆۋەن (<200°C) |
TCO قەۋىقى | تالاپ قىلىنمىغان | تالاپ قىلىنمىغان | تالاپ قىلىنغان (ITO، ھەم شۇنىڭغا ئوخشاش) |
ئەنجام | ~24% | ~26% | ~27%+ |
قىممەت | ئەڭ تۆۋەن | ئوتتۇرا | ئەڭ يۇقىرى (ئۈسكۈنە + ماتېرىياللار) |
مەھسۇلاتلىرىمىز ۋە ھەل قىلغۇچلىرىمىز ھەققىدە كۆپەرەك بىلمەك ئۈچۈن تۆۋەندىكى فۇرمېنى تولدۇرۇڭ، بىزدىن بىرى نەپسىمىز سىزگە يېقىندا جاۋاب بېرىدۇ
Shandong ۋىلايىتىدىكى 3000 TPD گول فلوٹلاش پروژىسى
سىچۈەندىكى 2500TPD لىتىي رۇدىسى
فاكس: (+86) 021-60870195
ئادرېس:No.2555, Xiupu يولى, Pudong, Shanghai
ھوقۇق ۇچۇر سوت ئىسمى © 2023.بىر مۇراد (شياڭخەي) مىنىڭ تېخنىكا شىركىتى، چەكلەنگەن.