Quá trình ăn mòn hóa học tạo ra các kết cấu hình chóp hoặc cấu trúc hình chóp ngược trên bề mặt wafer silicon, làm tăng đáng kể hiệu suất hấp thụ ánh sáng trong các tế bào quang điện. Quá trình sản xuất quan trọng này rất cần thiết để cải thiện hiệu suất chuyển đổi của tế bào mặt trời.
Thiết bị: Hệ thống tạo vân đơn tinh thể (batch texturing)
Lựa chọn nhà sản xuất: CHINA S.C., Kingenious, v.v.
Tạo lớp P+ cho sự hình thành tiếp mặt PN:Sử dụng BCl₃ ở nhiệt độ cao để tạo lớp P+ trên bề mặt wafer silicon, do đó tạo ra một tiếp mặt PN cho phép tạo ra các hạt tải trong wafer.
Phương pháp hình thành liên kết tế bào loại N: Quá trình hình thành liên kết cho các tế bào loại N bao gồm việc khuếch tán bo (B) vào vật liệu bán dẫn được doping photpho, tạo ra một liên kết P-N tại giao diện giữa hai vùng bán dẫn được doping.
Thiết bị:
Lò khuếch tán bo (6 ống)
Lựa chọn nhà sản xuất:
CHINA S.C., Laplace, v.v.
Loại bỏ thủy tinh photpho silicat (PSG) bằng HF
Phản ứng: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O
Cơ chế thụ động hóa và đánh bóng bề mặt chọn lọc:
Các "nhóm bảo vệ" (ví dụ, các hợp chất dựa trên silan) tạo thành một lớp đơn phân tử có trật tự trên bề mặt oxit.
Tạo rào cản khuếch tán OH⁻ → Ngăn chặn ăn mòn SiO₂
Tăng tốc phản ứng OH⁻ với Si mặt sau → Nâng cao quá trình ăn mòn đẳng hướng trên các mặt phẳng {111}/{100}
Thiết bị: Thiết bị loại bỏ BSG trực tiếp + Thiết bị đánh bóng kiềm
Lựa chọn nhà sản xuất: CHINA S.C., Kingenious, v.v.
Nguyên lý lắng đọng lớp oxide: Oxi hóa nhiệt thông qua sự khuếch tán của oxy ở nhiệt độ cao, trong đó oxy phản ứng với silicon để tạo thành silicon oxide.
Phản ứng hóa học: O2 + Si → SiOx.
Nguyên lý lắng đọng Silicon vô định hình (a-Si):Phân hủy nhiệt silan (SiH₄) trong quá trình CVD, tạo ra silicon ở thể rắn và khí hidro như sản phẩm phụ.
Phản ứng hóa học: SiH₄(g) → Si(s) + 2H₂(g)
Thiết bị: Hệ thống LPCVD
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: Laplace, vv
P2O5 tạo ra từ sự phân hủy POCl3 được lắng đọng trên bề mặt của wafer silicon. P2O5 phản ứng với silicon tạo ra SiO2 và các nguyên tử phosphorus, và tạo thành một lớp thủy tinh phosphosilicat trên bề mặt wafer silicon. Sau đó, các nguyên tử phosphorus khuếch tán vào silicon.
Phản ứng: 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P↓
Thiết bị: Lò khuếch tán photpho
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: CHINA S.C.., vv
Tẩy ướt PSG trực tiếp (mặt sau và thành bên)
Quy trình: Hệ thống trạm ướt dạng chuỗi sử dụng hóa chất dựa trên HF để loại bỏ thủy tinh photpho silicat (PSG) khỏi mặt sau và cạnh của wafer trước khi làm sạch RCA.
Các “nhóm bảo vệ” được sắp xếp có chọn lọc theo một cách có trật tự để tăng cường bảo vệ BPSG. Sau khi loại bỏ PSG trên bề mặt POLY bằng phương pháp đánh bóng kiềm, aOH+ADD được sử dụng để bảo vệ thành công SiO2 khỏi bị ăn mòn bởi NaOH.
Thiết bị: Hệ thống loại bỏ PSG trực tiếp + máy làm sạch RCA
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: CHINA S.C.., vv
Nguyên lý bịt kín bề mặt: ALD cho phép lắng đọng các lớp màng mỏng ở cấp độ nguyên tử. Sử dụng điện tích cố định âm của Al₂O₃, nó tạo ra một trường điện ở giao diện hướng về khối silicon. Trường điện này:
Đẩy các electron ra khỏi giao diện Al₂O₃/Si trongnsilicon loại -
Giảm tốc độ tái tổ hợp giao diện (Seff< 10 cm/s)
Nâng cao thời gian sống của hạt tải nhỏ (Δτ > 1 ms)
Sự lắng đọng Al₂O₃ thông qua cơ chế phản ứng tiền chất TMA: Trimethylaluminum (TMA) phản ứng với hơi nước trong một quá trình tuần hoàn:
2AL(CH₃)₃ + 3H₂O = Al₂O₃ + 6CH₄
Thiết bị: ALD
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: LEADMICRO., v.v.
Plasma nhiệt độ thấp đóng vai trò là nguồn năng lượng, với tấm silicon được đặt trên catốt trong phóng điện hào quang áp suất thấp. Tấm silicon được nung nóng đến nhiệt độ xác định thông qua phóng điện hào quang (hoặc một bộ phận làm nóng bổ sung). Sau đó, một lượng thích hợp SiH₄ và NH₃ được đưa vào, trải qua một loạt các phản ứng hóa học và plasma để tạo thành một lớp màng mỏng rắn.
Thiết bị: Phun mạ CVD plasma tăng cường phía trước 5 ống
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: CHINA S.C.., vv
Sử dụng plasma nhiệt độ thấp làm nguồn năng lượng, tấm silicon được đặt trên catốt của hệ thống phóng điện áp suất thấp. Tấm silicon được nung nóng đến nhiệt độ đã định trước thông qua phóng điện (hoặc bằng một bộ phận nung nóng bổ sung). Sau đó, một lượng thích hợp SiH₄ và NH₃ được đưa vào, trải qua một loạt phản ứng hóa học và plasma để tạo thành một lớp màng mỏng rắn (SiNₓ) trên bề mặt sau của tấm silicon.
Thiết bị: Hệ thống phủ CVD plasma tăng cường 5 ống mặt sau
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: CHINA S.C.., vv
Trong quá trình in, chất liệu được phủ lên lưới in. Lưỡi cạy tác dụng áp lực điều khiển trong khi di chuyển trên lưới, ép chất liệu qua các lỗ trên lưới lên vật liệu nền. Chất liệu bám dính trong các ranh giới xác định do độ nhớt của nó.
Khoảng cách điều khiển giữa lưới và vật liệu nền cho phép lưới căng lại bật ra khỏi lưỡi cạy, duy trì chỉ tiếp xúc với một đường di chuyển. Điều này tạo ra sự tách rời của chất liệu khỏi lưới trong quá trình tách, đảm bảo độ chính xác về kích thước. Sau khi in, lưỡi cạy nâng lên
Thiết bị: Dòng sản xuất in lưới hai đường
Lựa chọn nhà sản xuất: CHINAMAXWELL., v.v.
Vùng nhiệt độ thấp: Chủ yếu liên quan đến quá trình bay hơi và đốt cháy các dung môi hữu cơ và chất kết dính của bột in.
Giai đoạn nhiệt độ trung bình: Chủ yếu được đặc trưng bằng việc nóng chảy của thủy tinh frit và sự kết tụ của các hạt bạc.
Giai đoạn nhiệt độ cao: Được chi phối bởi các phản ứng giữa bạc, silic và thủy tinh nóng chảy, tạo thành hợp kim bạc-silic.
Giai đoạn làm nguội: Chủ yếu bao gồm sự tái kết tinh và tăng trưởng hạt của các hạt bạc trên bề mặt silic.
Thiết bị: Hệ thống nung chảy lò & tiêm ánh sáng tích hợp (đường kép)
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: CHINAMAXWELL., v.v.
Tia laser cường độ cao kích thích các hạt tải điện trong tế bào mặt trời, trong khi một điện áp thiên vị vượt quá 10V được áp dụng, tạo ra một dòng điện cục bộ vài ampe. Điều này gây ra sự kết hợp, kích hoạt sự khuếch tán lẫn nhau giữa bột bạc và silicon, làm giảm đáng kể điện trở tiếp xúc giữa kim loại và chất bán dẫn, từ đó cải thiện hệ số lấp đầy. Trong khi đó, trong suốt quá trình kết hợp, thời gian sống của hạt tải điện nhanh chóng kết thúc sau khi tia laser đi qua, giảm thiểu thiệt hại cho o
Thiết bị: Hệ thống doping laser hai đường
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: DR, v.v.
AOI (Kiểm tra quang học tự động) là một thiết bị dựa trên nguyên lý quang học để phát hiện các khuyết tật thị giác thường gặp trong quá trình sản xuất tế bào mặt trời.
Nguyên lý EL (Electroluminescence): Một dòng điện thuận được đưa vào tế bào mặt trời, sử dụng quá trình ngược lại của hiệu ứng quang điện để làm cho tế bào phát sáng. Hệ thống hình ảnh chụp tín hiệu và truyền đến phần mềm máy tính, phần mềm xử lý dữ liệu và hiển thị hình ảnh EL của tế bào mặt trời trên màn hình.
Nguyên lý của bộ kiểm tra IV: Tế bào quang điện được phơi dưới ánh sáng mặt trời mô phỏng, chuyển đổi năng lượng ánh sáng thành năng lượng điện và tạo ra dòng điện. Bộ kiểm tra đồng thời đo dòng điện và điện áp, sau đó tính toán các thông số chính như công suất và hiệu suất dựa trên dữ liệu.
Thiết bị: Bộ kiểm tra và phân loại tế bào quang điện kép (hệ thống HALM, 150 khay)
Nhà sản xuấtsự lựa chọn: CHINAMAXWELL., v.v.
Để tìm hiểu thêm về sản phẩm và giải pháp của chúng tôi, vui lòng điền vào mẫu dưới đây và một trong những chuyên gia của chúng tôi sẽ liên lạc lại với bạn sớm
Dự án tuyển nổi vàng 3000 TPD ở tỉnh Shandong
Tuyển nổi quặng lithium 2500 TPD ở Tứ Xuyên
Fax: (+86) 021-60870195
Địa chỉ:Số 2555, Đường Xiupu, Pudong, Thượng Hải
Bản quyền © 2023.Công ty TNHH Công nghệ Khai thác Prominer (Thượng Hải)
