فرآیند حکاکی شیمیایی، بافت‌های هرمی یا ساختارهای هرم معکوس را بر روی سطح ورقه‌های سیلیکونی ایجاد می‌کند.
تجهیزات: سیستم بافت‌دهی تک بلوری
انتخاب تولیدکننده: چین S.C، کینجیوس و غیره
تشکیل لایه P+ برای پیوند PN:استفاده از BCl₃ در دمای بالا برای تشکیل لایه P+ بر روی سطح ورقه سیلیکون، و ایجاد پیوندی PN که تولید حامل در ورقه را ممکن می‌سازد.
روش تشکیل پیوند سلول نوع N:فرآیند تشکیل پیوند برای سلول‌های نوع N شامل توزیع بور (B) در ماده نیمه‌رسانا فسفر-دُپ شده است، که پیوند P-N در رابط بین دو ناحیه نیمه‌رسانای دُپ شده ایجاد می‌کند.
تجهیزات:
کوره نفوذ بور (6 لوله)
انتخاب تولیدکننده:
چین، اس سی، لاپلاس و غیره
برداشتن شیشه فسفات سیلیکون (PSG) با استفاده از HF
واکنش: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O
مکانیسم پسیو سازی و پرداخت انتخابی سطح:
«گروه‌های محافظ» (مانند ترکیبات سیلان‌دار) یک لایه منفرد مرتب شده روی سطح اکسید تشکیل می‌دهند:
موانع انتشار OH⁻ را ایجاد می‌کند → از حکاکی SiO₂ جلوگیری می‌کند
واکنش OH⁻ با سیلیکون پشت را تسریع می‌کند → حکاکی آنیزوتروپیک روی صفحات {111}/{100} را بهبود می‌بخشد
تجهیزات: دستگاه‌های حذف BSG خطی + دستگاه‌های پولیش قلیایی
انتخاب سازنده: چین S.C، کینجیوس و غیره
اصل رسوب لایه اکسید: اکسایش حرارتی از طریق انتشار اکسیژن در دمای بالا، جایی که اکسیژن با سیلیکون واکنش می‌دهد تا اکسید سیلیکون تشکیل دهد.
واکنش شیمیایی: O2+SiSiOx.
اصل رسوب سیلیکون آمورف (a-Si): تجزیه حرارتی سیلان (SiH₄) در فرآیند CVD، تولید سیلیکون فاز جامد و محصولات جانبی هیدروژن.
واکنش شیمیایی: SiH₄(g) → Si(s) + 2H₂(g)
تجهیزات: سیستم LPCVD
سازندهانتخاب: لَپلاس و غیره
P2O5 حاصل از تجزیه POCl3 بر روی سطح ورقه سیلیکون رسوب می‌کند. P2O5 با سیلیکون واکنش می‌دهد تا SiO2 و اتم‌های فسفر تولید کند و یک لایه شیشه فسفات سیلیکات را بر روی سطح ورقه سیلیکون ایجاد کند. سپس اتم‌های فسفر به داخل سیلیکون نفوذ می‌کنند.
واکنش: 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P↓
تجهیزات: کوره توزیع فسفر
سازندهانتخاب:چین S.C. و غیره
حکاکی مرطوب خطی برای حذف PSG (کف و دیواره‌های جانبی)
روش: ایستگاه مرطوب نوع زنجیره‌ای از مواد شیمیایی مبتنی بر HF برای حذف شیشه فسفات سیلیکات (PSG) از پشت و لبه‌های ورقه قبل از تمیزکاری RCA استفاده می‌کند.
«گروه‌های محافظتی» به طور انتخابی و منظم برای افزایش حفاظت از BPSG مرتب می‌شوند. پس از حذف PSG روی سطح پلی‌مری با استفاده از فرایند پولیش قلیایی، از aOH+ADD برای حفاظت موفقیت‌آمیز از SiO2 در برابر خوردگی توسط NaOH استفاده می‌شود.
تجهیزات: سیستم حذف PSG خطی + ماشین تمیزکاری RCA
سازندهانتخاب:چین S.C. و غیره
اصل پسیو کردن سطح: ALD امکان رسوب‌دهی لایه به لایه فیلم‌های نازک در مقیاس اتمی را فراهم می‌کند. با استفاده از بارهای ثابت منفی Al₂O₃، میدان الکتریکی رابطه‌ای را به سمت توده سیلیکون ایجاد می‌کند. این میدان:
الکترون‌ها را از رابطۀ Al₂O₃/Si دفع می‌کند nنوع سیلیکون
سرعت بازترکیب رابطه‌ای را کاهش می‌دهد (Seff< 10 سانتی‌متر بر ثانیه)
زمان عمر حامل‌های اقلیت را افزایش می‌دهد (Δτ > 1 میلی‌ثانیه)
رسوب‌گذاری Al₂O₃ از طریق مکانیسم واکنش پیش‌ساز TMA: تری‌متیل‌آلومینیوم (TMA) با بخار آب در یک فرآیند چرخه‌ای واکنش می‌دهد:
2AL(CH3)3 + 3H2O = Al2O3 + 6CH4
تجهیزات: ALD
سازندهانتخاب: LEADMICRO و غیره
پلاسما در دمای پایین به عنوان منبع انرژی عمل می‌کند، در حالی که ورقه‌ی سیلیکونی روی کاتد در تخلیه الکتریکی با فشار کم قرار می‌گیرد. ورقه با دمای مشخص از طریق تخلیه الکتریکی (یا یک عنصر گرمایشی اضافی) گرم می‌شود.
تجهیزات: پوشش دهی پشت صفحه با روش پلاسما تقویت شده CVD پنج لوله ای
سازندهانتخاب:چین S.C. و غیره
با استفاده از پلاسما با دما پایین به عنوان منبع انرژی، ورقه سیلیکونی روی کاتد یک سیستم تخلیه الکتریکی با فشار پایین قرار می‌گیرد. ورقه با دمای مشخص از طریق تخلیه الکتریکی (یا با استفاده از یک عنصر گرمایشی اضافی) گرم می‌شود. سپس مقدار مناسبی از SiH₄ و NH₃ وارد سیستم می‌شود و طی واکنش‌های شیمیایی و پلاسما، یک لایه نازک جامد (SiNx) روی سطح پشت ورقه سیلیکونی تشکیل می‌شود.
تجهیزات: چاپ پلاسمای تقویت‌شده CVD پنج‌لوله پشت‌کاره‌ای
سازندهانتخاب:چین S.C. و غیره
در حین چاپ، خمیر بر روی شبکه‌ی سیلک‌اسکرین اعمال می‌شود. کاردک با اعمال فشار کنترل‌شده در حالی‌که روی شبکه حرکت می‌کند، خمیر را از منافذ شبکه به زیرلایه می‌راند. خمیر به دلیل ویسکوزیته‌اش در مرزهای تعریف‌شده‌ی خود باقی می‌ماند.
فاصله‌ی کنترل‌شده‌ای بین شبکه و زیرلایه، به شبکه‌ی تحت کشش اجازه می‌دهد تا پس از عبور از زیر کاردک، از آن جدا شده و تنها با یک خط تماس در حال حرکت باقی بماند. این امر موجب جدا شدن خمیر از شبکه در هنگام جدایی می‌شود و دقت ابعادی را تضمین می‌کند. پس از چاپ، کاردک بالا می‌آید
تجهیزات: خط تولید چاپ سیلک دوگانه
انتخاب سازنده: چینامکسول و غیره
منطقه دمای پایین: عمدتاً شامل تبخیر و احتراق حلال‌های آلی و چسب‌های پاست است.
مرحله دمای متوسط: عمدتاً با ذوب شدن لعاب شیشه و تجمع ذرات نقره مشخص می‌شود.
مرحله دمای بالا: با واکنش بین نقره، سیلیکون و شیشه مذاب، تشکیل آلیاژهای نقره-سیلیکون مشخص می‌شود.
مرحله خنک‌سازی: عمدتاً شامل بازکریستالیزاسیون و رشد دانه‌های ذرات نقره روی سطح سیلیکون است.
تجهیزات: سیستم یکپارچه کوره ذوب و تزریق نور (دوگانه)
سازندهانتخاب: چینامکسول و غیره
تابش لیزر پرقدرت حامل‌های بار را در سلول خورشیدی برانگیخته می‌کند، در حالی که ولتاژ بایاس بیش از 10 ولت اعمال می‌شود، و جریان موضعی چند آمپری تولید می‌کند. این امر باعث ذوب می‌شود، و باعث انتشار متقابل بین خمیر نقره و سیلیکون شده و مقاومت تماس بین فلز و نیمه‌رسانا را به طور قابل توجهی کاهش می‌دهد، و در نتیجه ضریب پرکن را بهبود می‌بخشد. در عین حال، در طول فرآیند ذوب، عمر حامل‌ها به سرعت پس از عبور لیزر خاتمه می‌یابد، و آسیب به حداقل می‌رسد.
تجهیزات: سیستم دوگانه لیزری القاء ناخالصی
سازندهانتخاب: دکترا، و غیره
بازرسی نوری خودکار (AOI) دستگاهی مبتنی بر اصول نوری برای تشخیص عیوب بصری رایج در تولید سلول‌های خورشیدی است.
اصل ال (الکترولوْمینسانس): جریان مستقیم به سلول خورشیدی اعمال می‌شود، و از طریق فرآیند معکوس اثر فوتوالکتریک، سلول را به انتشار نور وادار می‌کند. سیستم تصویربرداری سیگنال را دریافت و به نرم‌افزار کامپیوتری منتقل می‌کند، که داده‌ها را پردازش و تصویر ال از سلول خورشیدی را روی صفحه نمایش می‌دهد.
اصل تستر IV: سلول خورشیدی در معرض نور خورشید شبیه‌سازی‌شده قرار می‌گیرد و انرژی نور را به انرژی الکتریکی تبدیل می‌کند و جریان تولید می‌کند. تستر همزمان جریان و ولتاژ را اندازه‌گیری می‌کند و سپس پارامترهای کلیدی مانند توان و راندمان را بر اساس داده‌ها محاسبه می‌کند.
تجهیزات: تست و مرتب‌کننده سلول‌های خورشیدی دوگانه (سیستم HALM، 150 جایگاه)
سازندهانتخاب: چینامکسول و غیره
برای کسب اطلاعات بیشتر درباره محصولات و راه‌حل‌های ما، لطفاً فرم زیر را تکمیل کنید و یکی از کارشناسان ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت
پروژه فلوتاسیون طلا به ظرفیت 3000 تن در روز در استان شاندونگ
فلوتاسیون سنگ معدن لیتیوم 2500TPD در سیچوان
فکس: (+86) 021-60870195
آدرس:شماره 2555، جاده شی‌ئوپو، پودونگ، شانگهای
حق نشر © 2023.شرکت فناوری معدن پرومینر (شانگهای) با مسئولیت محدود
