Équipement de production d'occasion pour cellules photovoltaïques

Retour rapide sur investissement grâce à un système de production de cellules intégré et à une technologie mature

Contactez-nous

Équipement photovoltaïque utilisé pour la fabrication de PERC/TOPCon

Nous avons soigneusement sélectionné un lot d'équipements d'occasion de très bonne qualité. Comparé aux équipements neufs, ils présentent des avantages de prix évidents.

Technologie Perk

Équipement de production de cellules solaires PERC d'occasion

Inclure : Équipement de texturation par lots monocristallin, Chargeur/déchargeur de texturation par lots, Système de diffusion à faible pression en tube fermé à atterrissage doux…

Technologie TOPCon

OccasionTOPCONÉquipement de production de cellules solaires

Comme : Four de diffusion au bore, élimination du BSG, Machine de polissage alcalin, PE-POLY…

Nos services

Notre entreprise possède une équipe professionnelle et une riche expérience, et peut vous fournir le meilleur service

Conseil

Stratégie de projet

Proposition de projet

Plan de sélection du site

Rapport d'étude de faisabilité Plan de mise en œuvre du projet Évaluation de la sécurité de la production

Conception Technique

Structure civile

Système d'approvisionnement en procédés

Mécanique et CVC

Protection et sécurité environnementales

Conception de tuyauterie 3D

Approvisionnement en équipements

Montage et mise en service sur site et fonctionnement la première année.

Fonctionnement de l'usine la première année

Formation technologique

Découvrez les services complets

Différentes voies techniques pour les cellules PV

Les cellules monocristallines sont divisées en type P et type N en fonction du type de dopage des tranches de silicium. Les tranches de silicium de type P sont fabriquées en dopant le silicium avec du bore, tandis que les tranches de type N sont obtenues en utilisant un autre élément dopant.

Comparaison de trois Différentes Routes Technologiques

Aspect	PERC	TOPCon	HJT
Passivation	Passivation arrière Al₂O₃/SiNx	Contact passivé SiO₂ + poly-Si	Passivation hétérojonction a-Si/c-Si
Principales Étapes de Processus	Face avant : Diffusion du phosphore pour former l'émetteur n+, suivie de la réalisation d'un réseau de lignes d'argent sérigraphiées. Face arrière : Déposition d'oxyde d'aluminium (couche de passivation) + nitrure de silicium (couche protectrice). Gravure au laser (contact local) suivie de l'impression d'un champ arrière en aluminium.	Face avant : similaire à PERC (diffusion de phosphore + sérigraphie). Face arrière : Forment une couche d'oxyde de tunnel de 1 à 2 nm (SiO₂). Dépose du silicium amorphe dopé au phosphore, recuit pour former une couche de polysilicium n+. Recouvre avec du SiNx, puis sérigraphie les électrodes.	Nettoyage et texturation : texturation double face (nécessite une propreté extrêmement élevée). Déposition : Dépose des couches de passivation en silicium amorphe intrinsèque (i-a-Si) des deux côtés. Dépose du a-Si de type p à l'avant et du a-Si de type n à l'arrière (formant l'hétérojonction). Couche TCO (Oxyde conducteur transparent) : Dépôts d'ITO (Oxyde d'étain et d'indium) ou de matériaux similaires. Métalisation : pâte d'argent basse température + sérigraphie (ou placage cuivre).
Métalisation	Pâte d'argent haute température (>700°C)	Pâte d'argent haute température	Pâte d'argent basse température (<200°C)
Température du procédé	Haute (>800°C)	Haute (recuit >900°C)	Basse (<200°C)
Couche TCO	Non nécessaire	Non nécessaire	Nécessaire (ITO, etc.)
Efficacité	~24%	~26%	~27%+
Coût	Le plus bas	Modéré	Le plus élevé (équipement + matériaux)