Caractéristiques : Agencement compact, couverture complète du processus, faible coût d'investissement et déploiement rapide. Conçu pour les startups et les petites mines — Votre solution aurifère flexible et efficace !
Retour rapide sur investissement grâce à un système de production de cellules intégré et à une technologie mature
Nous avons soigneusement sélectionné un lot d'équipements d'occasion de très bonne qualité. Comparé aux équipements neufs, ils présentent des avantages de prix évidents.
Technologie Perk
Inclure : Équipement de texturation par lots monocristallin, Chargeur/déchargeur de texturation par lots, Système de diffusion à faible pression en tube fermé à atterrissage doux…
Notre entreprise possède une équipe professionnelle et une riche expérience, et peut vous fournir le meilleur service
Stratégie de projet
Proposition de projet
Plan de sélection du site
Rapport d'étude de faisabilité Plan de mise en œuvre du projet Évaluation de la sécurité de la production
Structure civile
Système d'approvisionnement en procédés
Mécanique et CVC
Protection et sécurité environnementales
Conception de tuyauterie 3D
Montage et mise en service sur site et fonctionnement la première année.
Fonctionnement de l'usine la première année
Formation technologique
Les cellules monocristallines sont divisées en type P et type N en fonction du type de dopage des tranches de silicium. Les tranches de silicium de type P sont fabriquées en dopant le silicium avec du bore, tandis que les tranches de type N sont obtenues en utilisant un autre élément dopant.
| Aspect | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Passivation | Passivation arrière Al₂O₃/SiNx | Contact passivé SiO₂ + poly-Si | Passivation hétérojonction a-Si/c-Si |
| Principales Étapes de Processus | Face avant : Diffusion du phosphore pour former l'émetteur n+, suivie de la réalisation d'un réseau de lignes d'argent sérigraphiées. Face arrière : Déposition d'oxyde d'aluminium (couche de passivation) + nitrure de silicium (couche protectrice). Gravure au laser (contact local) suivie de l'impression d'un champ arrière en aluminium. | Face avant : similaire à PERC (diffusion de phosphore + sérigraphie). Face arrière : Forment une couche d'oxyde de tunnel de 1 à 2 nm (SiO₂). Dépose du silicium amorphe dopé au phosphore, recuit pour former une couche de polysilicium n+. Recouvre avec du SiNx, puis sérigraphie les électrodes. | Nettoyage et texturation : texturation double face (nécessite une propreté extrêmement élevée). Déposition : Dépose des couches de passivation en silicium amorphe intrinsèque (i-a-Si) des deux côtés. Dépose du a-Si de type p à l'avant et du a-Si de type n à l'arrière (formant l'hétérojonction). Couche TCO (Oxyde conducteur transparent) : Dépôts d'ITO (Oxyde d'étain et d'indium) ou de matériaux similaires. Métalisation : pâte d'argent basse température + sérigraphie (ou placage cuivre). |
| Métalisation | Pâte d'argent haute température (>700°C) | Pâte d'argent haute température | Pâte d'argent basse température (<200°C) |
| Température du procédé | Haute (>800°C) | Haute (recuit >900°C) | Basse (<200°C) |
| Couche TCO | Non nécessaire | Non nécessaire | Nécessaire (ITO, etc.) |
| Efficacité | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Coût | Le plus bas | Modéré | Le plus élevé (équipement + matériaux) |
Caractéristiques : Agencement compact, couverture complète du processus, faible coût d'investissement et déploiement rapide. Conçu pour les startups et les petites mines — Votre solution aurifère flexible et efficace !
Minerai brut : minerai de sulfure multitétraire (Cu, Zn, Au) Teneur en minerai : Cu 1,2 %, Zn 2,5 %, Au 1,5 g/t
Minerai brut : minerai d'or de type oxyde et sulfure Teneur en or : 2,5 g/t Produit final : lingots d'or
Minerai brut : Minerai d'or de type alluvial/sulfure (selon le dépôt spécifique) Teneur en or : 3,5 g/t Taux de récupération de l'or : 92 %
Matière première : Minerai de fluorite (CaF₂) Grade de fluorspar : 35 % CaF₂ Grade de concentré : 97 % CaF₂
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Projet de flottation de l'or de 3000 TPD dans la province du Shandong
Flottation de minerai de lithium de 2500 TPD au Sichuan
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