Minerai brut : Minerai de cuivre sulfureux Grade de cuivre : 1,2 % Taux de récupération par flottation ciblé : 92 %
Retour rapide sur investissement grâce à un système de production de cellules intégré et à une technologie mature
Nous avons soigneusement sélectionné un lot d'équipements d'occasion de très bonne qualité. Comparé aux équipements neufs, ils présentent des avantages de prix évidents.
Technologie Perk
Inclure : Équipement de texturation par lots monocristallin, Chargeur/déchargeur de texturation par lots, Système de diffusion à faible pression en tube fermé à atterrissage doux…
Notre entreprise possède une équipe professionnelle et une riche expérience, et peut vous fournir le meilleur service
Stratégie de projet
Proposition de projet
Plan de sélection du site
Rapport d'étude de faisabilité Plan de mise en œuvre du projet Évaluation de la sécurité de la production
Structure civile
Système d'approvisionnement en procédés
Mécanique et CVC
Protection et sécurité environnementales
Conception de tuyauterie 3D
Montage et mise en service sur site et fonctionnement la première année.
Fonctionnement de l'usine la première année
Formation technologique
Les cellules monocristallines sont divisées en type P et type N en fonction du type de dopage des tranches de silicium. Les tranches de silicium de type P sont fabriquées en dopant le silicium avec du bore, tandis que les tranches de type N sont obtenues en utilisant un autre élément dopant.
| Aspect | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Passivation | Passivation arrière Al₂O₃/SiNx | Contact passivé SiO₂ + poly-Si | Passivation hétérojonction a-Si/c-Si |
| Principales Étapes de Processus | Face avant : Diffusion du phosphore pour former l'émetteur n+, suivie de la réalisation d'un réseau de lignes d'argent sérigraphiées. Face arrière : Déposition d'oxyde d'aluminium (couche de passivation) + nitrure de silicium (couche protectrice). Gravure au laser (contact local) suivie de l'impression d'un champ arrière en aluminium. | Face avant : similaire à PERC (diffusion de phosphore + sérigraphie). Face arrière : Forment une couche d'oxyde de tunnel de 1 à 2 nm (SiO₂). Dépose du silicium amorphe dopé au phosphore, recuit pour former une couche de polysilicium n+. Recouvre avec du SiNx, puis sérigraphie les électrodes. | Nettoyage et texturation : texturation double face (nécessite une propreté extrêmement élevée). Déposition : Dépose des couches de passivation en silicium amorphe intrinsèque (i-a-Si) des deux côtés. Dépose du a-Si de type p à l'avant et du a-Si de type n à l'arrière (formant l'hétérojonction). Couche TCO (Oxyde conducteur transparent) : Dépôts d'ITO (Oxyde d'étain et d'indium) ou de matériaux similaires. Métalisation : pâte d'argent basse température + sérigraphie (ou placage cuivre). |
| Métalisation | Pâte d'argent haute température (>700°C) | Pâte d'argent haute température | Pâte d'argent basse température (<200°C) |
| Température du procédé | Haute (>800°C) | Haute (recuit >900°C) | Basse (<200°C) |
| Couche TCO | Non nécessaire | Non nécessaire | Nécessaire (ITO, etc.) |
| Efficacité | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Coût | Le plus bas | Modéré | Le plus élevé (équipement + matériaux) |
Minerai brut : Minerai de cuivre sulfureux Grade de cuivre : 1,2 % Taux de récupération par flottation ciblé : 92 %
Minerai brut : Minerai de molybdène de type sulfure (molybdénite) Teneur en tête : 0,15 % Mo Teneur du concentré : ≥ 55 % Mo
Raw Material: Existing gold plant tailings (All-slime) Gold Grade in Tailings: 1.2 g/t Final Product: Gold Ingot
Minerai brut : Minerai de cuivre de type sulfure (principalement chalcopyrite) Taux de cuivre : 0,8 % Produit final : Concentré de cuivre
Matière première : Boues de résidus de mine d'or provenant de l'usine CIL Contenu en solides des résidus : 35-40 % Densité finale de l'empilement : 1,6-1,8 t/m³
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Projet de flottation de l'or de 3000 TPD dans la province du Shandong
Flottation de minerai de lithium de 2500 TPD au Sichuan
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