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Équipement de production d'occasion pour cellules photovoltaïques

Équipement photovoltaïque utilisé pour la fabrication de PERC/TOPCon

Technologie Perk

Inclure : Équipement de texturation par lots monocristallin, Chargeur/déchargeur de texturation par lots, Système de diffusion à faible pression en tube fermé à atterrissage doux…

Technologie TOPCon

Comme : Four de diffusion au bore, élimination du BSG, Machine de polissage alcalin, PE-POLY…

Nos services

Conseil

Conception Technique

Approvisionnement en équipements

Différentes voies techniques pour les cellules PV

Comparaison de trois Différentes Routes Technologiques

AspectPERCTOPConHJT
PassivationPassivation arrière Al₂O₃/SiNxContact passivé SiO₂ + poly-SiPassivation hétérojonction a-Si/c-Si
Principales Étapes de ProcessusFace avant : Diffusion du phosphore pour former l'émetteur n+, suivie de la réalisation d'un réseau de lignes d'argent sérigraphiées.
Face arrière :
Déposition d'oxyde d'aluminium (couche de passivation) + nitrure de silicium (couche protectrice).
Gravure au laser (contact local) suivie de l'impression d'un champ arrière en aluminium.
Face avant : similaire à PERC (diffusion de phosphore + sérigraphie).
Face arrière :
Forment une couche d'oxyde de tunnel de 1 à 2 nm (SiO₂).
Dépose du silicium amorphe dopé au phosphore, recuit pour former une couche de polysilicium n+.
Recouvre avec du SiNx, puis sérigraphie les électrodes.
Nettoyage et texturation : texturation double face (nécessite une propreté extrêmement élevée).
Déposition :
Dépose des couches de passivation en silicium amorphe intrinsèque (i-a-Si) des deux côtés.
Dépose du a-Si de type p à l'avant et du a-Si de type n à l'arrière (formant l'hétérojonction).
Couche TCO (Oxyde conducteur transparent) : Dépôts d'ITO (Oxyde d'étain et d'indium) ou de matériaux similaires.
Métalisation : pâte d'argent basse température + sérigraphie (ou placage cuivre).
MétalisationPâte d'argent haute température (>700°C)Pâte d'argent haute températurePâte d'argent basse température (<200°C)
Température du procédéHaute (>800°C)Haute (recuit >900°C)Basse (<200°C)
Couche TCONon nécessaireNon nécessaireNécessaire (ITO, etc.)
Efficacité~24%~26%~27%+
Coût Le plus basModéréLe plus élevé (équipement + matériaux)

Cas de projets

1800 TPD Gold Processing Plant Expansion in Ghana

Expansion d'une usine de traitement de l'or de 1800 TPD au Ghana

Minerai brut : minerai d'or de type sulfure Taux d'or : 3,5 g/t Taux de récupération de l'or : 92%

100 TPD Gold CIL Plant in Tanzania – Installation Completed!!!

Usine de CIL d'or de 100 TPD en Tanzanie – Installation terminée !!!

Minerai brut : Ore de type oxyde Or Teneur en or : 3,5 g/t Pureté de lingot d'or : 99,5 %

1500 TPD Gold Mine CIL Expansion Project in Malaysia

Projet d'expansion CIL de mine d'or de 1500 TPD en Malaisie

Minerai brut : minerai doré sulfureux réfractaire et semi-réfractaire Teneur en or : 2,65 g/t Pureté des lingots d'or : ≥95,5%

1200 TPD Lithium Ore Flotation Plant in Zimbabwe

Usine de flottation de minerai de lithium de 1200 TPD au Zimbabwe

Minerai brut : minerai de pegmatite contenant du lithium (principalement spodumène) Teneur en Li₂O : 1,15 % Teneur en concentré : 5,5 % Li₂O

500 TPD High-Purity Calcite Processing Plant in Guangxi

Usine de traitement de calcaire haute pureté de 500 TPD à Guangxi

Minerai brut : Minerai de calcite CaCO3 Teneur : 85 % Produit final : Poudre de calcite enrobée et non enrobée (325 – 2500 mailles)

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