Le processus d'attaque chimique forme des textures pyramidales ou des structures pyramidales inversées sur les surfaces des plaquettes de silicium, améliorant considérablement l'efficacité d'absorption de la lumière dans les cellules photovoltaïques. Ce processus de fabrication crucial est essentiel à l'amélioration de l'efficacité de conversion des cellules solaires.
Équipement: Système de texturation monocristallin par lots
Choix du fabricant : CHINA S.C., Kingenious, etc.
Formation de couche P+ pour jonction PN :Utilisation de BCl₃ à haute température pour former une couche P+ à la surface de la plaquette de silicium, créant ainsi une jonction PN qui permet la génération de porteurs dans la plaquette.
Méthode de formation de jonction de cellules de type N :Le processus de formation de jonction pour les cellules de type N implique la diffusion de bore (B) dans un matériau semi-conducteur dopé au phosphore, créant une jonction PN à l'interface entre les deux régions de semi-conducteurs dopés.
Équipement :
Four de diffusion du bore (6 tubes)
Choix du fabricant :
CHINE S.C., Laplace, etc.
Enlèvement du verre phosphosilicate (PSG) à l'aide de l'HF
Réaction : SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O
Mécanisme de passivation et de polissage de surface sélective :
Des « groupes protecteurs » (par exemple, des composés à base de silane) forment une monocouche ordonnée sur la surface de l'oxyde :
Crée une barrière à la diffusion des OH⁻ → Empêche la gravure du SiO₂
Accélère la réaction des OH⁻ avec le Si arrière → Améliore la gravure anisotrope sur les plans {111}/{100}
Équipement :Équipement d'enlèvement de BSG en ligne + équipement de polissage alcalin
Choix du fabricant : CHINA S.C., Kingenious, etc.
Principe de dépôt de couche d'oxyde : Oxydation thermique par diffusion de l'oxygène à des températures élevées, où l'oxygène réagit avec le silicium pour former de l'oxyde de silicium.
Réaction chimique : O2 + Si → SiOx.
Principe de dépôt de silicium amorphe (a-Si) : Décomposition thermique du silane (SiH₄) dans un processus CVD, produisant du silicium solide et des sous-produits d'hydrogène.
Réaction chimique : SiH₄(g) → Si(s) + 2H₂(g)
Équipement : système LPCVD
Fabricantchoix:Laplace, etc.
Le P2O5 produit par la décomposition du POCl3 se dépose à la surface de la plaquette de silicium. Le P2O5 réagit avec le silicium pour générer des atomes de SiO2 et de phosphore, et forme une couche de verre phosphosilicate à la surface de la plaquette. Les atomes de phosphore diffusent ensuite dans le silicium.
Réaction: 2P2O5+5Si=5SiO2+4P↓
Équipement :Four de diffusion du phosphore
Fabricantchoix:CHINA S.C., etc.
Décapage humide en ligne pour l'enlèvement du PSG (faces avant et latérales)
Process : La station humide à chaîne utilise une chimie basée sur les HF pour enlever le verre phosphosilicate (PSG) du dos et des bords des plaquettes avant le nettoyage RCA.
Les "groupes protecteurs" sont disposés sélectivement de manière ordonnée pour améliorer la protection du BPSG. Après avoir enlevé le PSG sur la surface POLY par un processus de polissage alcalin, un traitement aOH+ADD est utilisé pour protéger avec succès le SiO2 de la corrosion par NaOH.
Équipement :Système de retrait de PSG en ligne + machine de nettoyage RCA
Fabricantchoix:CHINA S.C., etc.
Principe de passivation de surface : L'ALD permet le dépôt couche par couche de films minces à l'échelle atomique. En utilisant les charges fixes négatives de l'Al₂O₃, il crée un champ électrique d'interface dirigé vers le volume de silicium. Ce champ :
Repousse les électrons de l'interface Al₂O₃/Si dans le silicium de type nsilicium de type
Réduit la vitesse de recombinaison à l'interface (Seff< 10 cm/s)
Augmente la durée de vie des porteurs minoritaires (Δτ > 1 ms)
Mécanisme de dépôt d'Al₂O₃ via la réaction du précurseur TMA : Le triméthylaluminium (TMA) réagit avec la vapeur d'eau dans un processus cyclique :
2Al(CH₃)₃ + 3H₂O = Al₂O₃ + 6CH₄
Équipement :ALD
Fabricantchoix:LEADMICRO., etc
Le plasma à basse température sert de source d'énergie, la tranche de silicium étant placée sur la cathode sous décharge luminescente à basse pression. La tranche est chauffée à une température prédéterminée par décharge luminescente (ou un élément chauffant supplémentaire). Une quantité appropriée de SiH₄ et NH₃ est ensuite introduite, subissant une série de réactions chimiques et de plasma pour former un film mince solide (SiNₓ) sur la surface avant de la tranche de silicium.
Équipement :CVD plasma amélioré par plasma à 5 tubes pour la face avant
Fabricantchoix:CHINA S.C., etc.
Utilisant un plasma à basse température comme source d'énergie, la plaquette de silicium est placée sur la cathode d'un système de décharge luminescente à basse pression. La plaquette est chauffée à une température prédéterminée par décharge luminescente (ou avec un élément de chauffage supplémentaire). Une quantité appropriée de SiH₄ et de NH₃ est ensuite introduite, subissant une série de réactions chimiques et de plasma pour former un film mince solide (SiNx) sur la face arrière de la plaquette de silicium.
Équipement : Plasma CVD arrière à 5 tubes
Fabricantchoix:CHINA S.C., etc.
Lors de l'impression, la pâte est appliquée sur le maillage du cadre. Le raclette exerce une pression contrôlée en traversant le cadre, forçant la pâte à traverser les ouvertures du maillage sur le substrat. La pâte adhère dans des limites définies en raison de sa viscosité.
Un espacement contrôlé entre le cadre et le substrat permet au cadre tendu de rebondir après le passage de la raclette, maintenant uniquement un contact linéaire en mouvement. Cela crée une rupture nette de la pâte du maillage lors de la séparation, assurant la précision dimensionnelle. Après l'impression, la raclette se soulève et le cadre se retire, tandis qu'une barre de remplissage revient en position.
Équipement :Ligne d'impression sérigraphique à double piste
Choix du fabricant : CHINAMAXWELL, etc.
Zone basse température : Implique principalement l'évaporation et la combustion des solvants et liants organiques de la pâte.
Stade intermédiaire de température : Principalement caractérisé par la fusion du frit de verre et l'agrégation des particules d'argent.
Stade haute température : Dominé par les réactions entre l'argent, le silicium et le verre fondu, formant des alliages argent-silicium.
Phase de refroidissement : Se compose principalement de la recristallisation et de la croissance du grain des particules d'argent sur la surface du silicium.
Équipement :Système intégré de four de cuisson et d'injection de lumière (à double voie)
Fabricantchoix: CHINAMAXWELL, etc.
L'irradiation laser de haute intensité excite les porteurs de charge dans la cellule solaire, tandis qu'une tension de polarisation supérieure à 10 V est appliquée, générant un courant localisé de plusieurs ampères. Ceci induit une frittage, déclenchant une diffusion mutuelle entre la pâte d'argent et le silicium, réduisant significativement la résistance de contact entre le métal et le semi-conducteur, améliorant ainsi le facteur de remplissage. Parallèlement, durant le processus de frittage, la durée de vie des porteurs se termine rapidement après le passage du laser, minimisant les dommages à l'original.
Équipement :Système de dopage laser à double voie
Fabricantchoix: DR., etc
L'inspection optique automatique (AOI) est un dispositif basé sur des principes optiques pour détecter les défauts visuels courants rencontrés lors de la production de cellules solaires.
Principe de la photoluminescence (EL) : Un courant direct est appliqué à la cellule solaire, utilisant le processus inverse de l'effet photovoltaïque pour faire émettre de la lumière à la cellule. Le système d'imagerie capture le signal et le transmet à un logiciel informatique, qui traite les données et affiche l'image EL de la cellule solaire sur l'écran.
Principe du testeur de cellules solaires IV : La cellule solaire est exposée à une lumière solaire simulée, convertissant l'énergie lumineuse en énergie électrique et générant un courant. Le testeur mesure simultanément le courant et la tension, puis calcule des paramètres clés tels que la puissance et le rendement à partir des données.
Équipement : Testeur et trieuse de cellules solaires à double voie (système HALM, 150 compartiments)
Fabricantchoix: CHINAMAXWELL, etc.
Pour en savoir plus sur nos produits et solutions, veuillez remplir le formulaire ci-dessous et l'un de nos experts vous répondra sous peu
Projet de flottation de l'or de 3000 TPD dans la province du Shandong
Flottation de minerai de lithium de 2500 TPD au Sichuan
Fax : (+86) 021-60870195
Adresse :No.2555, Route Xiupu, Pudong, Shanghai
Droits d'auteur © 2023.Prominer (Shanghai) Mining Technology Co., Ltd.
