Silicon based anode is one kind of composite anode material by compounding silicon based material with graphite materials. The current two major technical paths for silicon-based anodes are silicon-carbon composite materials and silicon-oxygen composite materials. Prominer can provide the solution for silicon based anode include crushing, jet mill grinding, sand mill grinding, 1차 compunding, spray dring, 2차 compunding, first carbonization, coating, second carbonization and final product handling.
주요 프로세스 흐름은 실리콘 기반 음극 다음과 같습니다. 프로세스 세부 정보를 더 알고 싶으시면 아래 버튼을 클릭하여 완전한 정보를 얻으십시오.
대부분의 실리콘 기반 음극 제조업체는 고순도 금속 실리콘 또는 실리콘-산소를 아웃소싱하는 것을 선택합니다. 고순도 실리콘 기반 재료는 분쇄기와 제트 밀을 통해 1 마이크론에 도달할 수 있도록 가공됩니다. 제트 밀 분쇄의 주요 목적은 샌드 밀의 공급 크기를 줄이는 것입니다.
습식 샌드 밀 분쇄 시스템은 다단계 분쇄를 통해 고순도 실리콘을 나노 크기 분말(D50≤100 nm)으로 변환할 수 있습니다. 실리콘 분말은 분류 과정을 통해 적격 크기의 분말을 얻고, 입자 크기 분포를 최적화하여 좋은 입자 형태의 실리콘 입자를 얻도록 처리됩니다.
그런 다음 나노 크기 실리콘 분말은 배치 처리 기반의 고속 융합 장치에서 그래파이트 재료와 혼합됩니다. 나노화된 고순도 실리콘과 그래파이트 입자를 고속 분산 과정을 통해 복합화하여 나노미터 실리콘 입자를 그래파이트 입자에 임베드하는 효과를 실현합니다. 실리콘 재료의 추가 비율은 5%-10%입니다.
고속 회전 스프레이 건조 장비를 사용하여 나노화된 고순도 실리콘 슬러리를 건조하여 복합 입자를 형성합니다. 그런 다음 건조된 재료는 그래파이트 재료와의 두 번째 복합화 과정에 위해 고속 융합 장치로 전송됩니다.
복합 재료는 2단계 탄화 과정을 통해 가공해야 합니다. 탄화 처리 작업에는 롤러 가마를 사용하는 것을 추천합니다. 고온 조건(최대 1200도)에서 코팅 재료와 실리콘 기반 재료가 함께 융합되며, 코팅 재료가 실리콘 기반 재료를 감싸는 껍질을 형성합니다.
탄화로에서 나온 실리콘 기반 음극 재료는 응집 분쇄, 혼합기, 자기 분리, 체로 걸러내기 및 포장 시스템을 포함하는 최종 제품 처리 시스템으로 보내집니다. 혼합기는 포장을 위해 여러 배치 최종 제품을 혼합하여 안정된 특성을 보장합니다. 건식 고자기 분리기는 가공 중 생성된 초미세 분말에서 기계적 철을 제거하도록 특수 설계되었습니다.
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