قدرتی گرافائٹ اینوڈ مواد قدرتی فلیک کرسٹل گرافائٹ سے بنایا جاتا ہے، جسے پیسنے، گردنوں کا بنانا، درجہ بندی، صاف کرنے اور سطح وغیرہ کے ذریعے پروسس کیا جاتا ہے۔ اس کی اعلی کرسٹلینٹی قدرتی طور پر تشکیل پاتی ہے۔ اور مصنوعی گرافائٹ اینوڈ مواد آسانی سے پٹرولیم کوک، سوئی کوک، ایسفالٹ کوک جیسی کاربن میں گرافیٹائز کرنے کی قابلیت رکھتا ہے، جو ایک خاص درجہ حرارت پر کیلکی نیشن کے ذریعے تیار ہوتا ہے، اور پھر کٹھنائی، درجہ بندی، اعلی درجہ حرارت گرافیٹائزیشن نظام کے بعد، اس کی اعلی کرسٹلینٹی اعلی درجہ حرارت گرافیٹائزیشن کے ذریعے تشکیل پاتی ہے۔ یہ بنیادی خام مال اور تیاری کی ٹیکنالوجی میں اساسی فرق کی وجہ سے ہے کہ دونوں کا مائیکرو اسٹرکچر، کرسٹل اسٹرکچر، برقی کیمیائی کارکردگی اور پروسیسنگ کی کارکردگی واضح طور پر مختلف ہیں۔
مائیکرو اسٹرکچر کے لحاظ سے، قدرتی گرافائٹ طبقاتی ہے۔ قدرتی گرافائٹ کی SEM پروفائل لامیلا کی ساخت کو برقرار رکھتی ہے، اور لامیلا کی ساخت کے درمیان بہت سے خالی جگہیں ہیں۔ اعلی درجہ حرارت کی گرافیٹائزیشن کے عمل میں، کرسٹل کی ساخت کو ABAB ساخت کے مطابق دوبارہ ترتیب دیا جاتا ہے، اور پولیمرائزیشن کنٹریکشن، اور اس کی داخلی کثافت میں کوئی خالی جگہ نہیں ہوتی۔
ایکس رے ڈیفریکشن
From the perspective of crystal structure, the natural graphite anode material has high crystallinity. In the XRD pattern, its (002) crystal plane diffraction peak Angle is higher, the lamellar structure is complete, the layer spacing is small, and the orientation (I002/I110) is obvious. From the diffraction peak position of (101) crystal plane corresponding to 43-45 degree and the diffraction peak position of (012) crystal plane corresponding to 46-47 degree, It can be seen that natural graphite has obvious 2H phase and 3R phase, while artificial graphite only has 2H phase. The XRD patterns of hexagonal graphite (2H) and rhombohedral graphite (3R) are as follows:
For natural graphite and artificial graphite without graphitization treatment, in addition to the SEM profile, XRD crystal structure diagram and its parameters to distinguish, Raman spectrum test disorder ID/IG is also an effective method to distinguish these two types of graphite. The disorder degree ID/IG of natural spherical graphite is generally 0.4~0.85, the disorder degree ID/IG of natural graphite coated on the surface without graphitization is generally 0.9~1.6, and the disorder degree ID/IG of new modified natural graphite without graphitization is generally 0.2~0.6. The disorder degree OF artificial graphite ID/IG is generally 0.04~0.34. On the whole, the disorder degree ID/IG of natural graphite anode material without high temperature graphitization is larger than that of artificial graphite anode material. The disorder degree ID/IG of the graphitized natural graphite coated on the surface is generally 0.17~0.36, and that of the artificial graphite is generally 0.04~0.34. The disorder degree ID/IG of the graphitized natural graphite and the artificial graphite are in intersection, and Raman test is not an effective method.
(1) SEM کراس سیکشن: بغیر ہائی درجہ حرارت گرافٹائزیشن کے قدرتی گرافائٹ اینوڈ مواد کا SEM کراس سیکشن ورق کے ڈھانچوں کے درمیان خلا رکھتا ہے، اور مصنوعی گرافائٹ اینوڈ مواد کا SEM کراس سیکشن کثیف اور بے درز ہے۔
(2) XRD: بغیر ہائی درجہ حرارت گرافٹائزیشن علاج کے قدرتی گرافائٹ اینوڈ مواد کے XRD پیٹرن میں واضح 2H مرحلہ اور 3R مرحلہ موجود ہیں، اور مصنوعی گرافائٹ اینوڈ مواد کے XRD پیٹرن میں صرف 2H مرحلہ موجود ہے۔
(3) ID/IG: بغیر ہائی درجہ حرارت گرافٹائزیشن کے سطح پر کوٹڈ قدرتی گرافائٹ اینوڈ مواد کا disorder ID/IG عام طور پر 0.9~1.6 ہے، اور مصنوعی گرافائٹ کا disorder ID/IG عام طور پر 0.04~0.34 ہے۔
(1) SEM کراس سیکشن: ہائی درجہ حرارت گرافٹائزیشن کے ذریعہ علاج شدہ خالص قدرتی گرافائٹ اینوڈ مواد کا SEM کراس سیکشن ورق کی ساخت کے درمیان خلا رکھتا ہے، جبکہ خالص مصنوعی گرافائٹ اینوڈ مواد کا SEM کراس سیکشن ایک کثیف ساخت رکھتا ہے اور کوئی خلا نہیں ہے، اور اسے ہائی درجہ حرارت گرافٹائزیشن کا سامنا کرنا پڑا ہے۔ کمپوزٹ گرافائٹ اینوڈ مواد کا SEM کراس سیکشنل منظر یہ ظاہر کرتا ہے کہ قدرتی گرافائٹ ورق کی ساخت اور مصنوعی گرافائٹ کی کثیف اور بے درز ساخت کے درمیان خلاء موجود ہیں۔
ہمارے مصنوعات اور حل کے بارے میں مزید معلومات حاصل کرنے کے لئے، براہ کرم نیچے دیے گئے فارم کو بھرें اور ہمارے ماہرین میں سے ایک جلد آپ سے رابطہ کرے گا
شینڈونگ صوبے میں 3000 TPD سونے کا فلٹیشن پروجیکٹ
سیچوان میں 2500TPD لیتھیم خام مال کی فلٹیشن
Fax: (+86) 021-58779592
پتہ: کمرہ ۶۰۶، بلاک D3، مرحلہ دوم، چینوا شائ بزنس سینٹر، ۷۷۷ لونگ، میاؤچوان روڈ، پودونگ نیو ایریا، شنگھائی، چین
کاپی رائٹ © 2023. پرومائنر (شنگھائی) مائننگ ٹیکنالوجی کمپنی، لمیٹڈ۔
