دستگاه‌های تولید سلول‌های فتوولتائیک دست دوم

بازگشت سریع سرمایه‌گذاری با سیستم تولید سلول مجتمع و فناوری بالغ

با ما تماس بگیرید

تجهیزات فتوولتائیک مورد استفاده برای تولید PERC/TOPCon

ما با دقت یک دسته از تجهیزات دست دوم با کیفیت بسیار خوب را انتخاب کرده‌ایم. در مقایسه با تجهیزات جدید، مزایای قیمتی واضحی دارند.

تکنولوژی پِرک

تجهیزات تولید سلول خورشیدی PERC دست‌دوم

شامل: تجهیزات بافت‌دهی تک بلوری، بارگیری/خالی‌سازی بافت‌دهی، سیستم دیفیوژن بسته لوله فشار پایین، فرود نرم...

بیشتر بخوانید

تکنولوژی TOPCon

دست دومTOPCONتجهیزات تولید سلول خورشیدی

مانند: کوره دیفیوژن بور، حذف BSG، دستگاه پولیش قلیایی، PE-POLY...

بیشتر بخوانید

خدمات ما

شرکت ما دارای تیم متخصص و تجربه‌ی غنی بوده و می‌تواند بهترین خدمات را به شما ارائه دهد.

مشاوره

استراتژی پروژه

پیشنهاد پروژه

طرح انتخاب سایت

گزارش توجیهی امکان سنجی طرح برنامه اجرای پروژه ارزیابی ایمنی تولید

طراحی مهندسی

ساختارهای مدنی

سیستم تأمین فرآیند

مکانیک و تهویه مطبوع

حفاظت و ایمنی محیط زیست

طراحی 3 بعدی لوله کشی

تدارکات تجهیزات

اجرای پروژه در محل و راه اندازی و بهره برداری سال اول

بهره برداری از کارخانه در سال اول

آموزش فناوری

درباره خدمات کامل یاد بگیرید

روش‌های فنی مختلف برای سلول‌های PV

سلول‌های تک‌کریستالی بر اساس نوع ناخالص‌سازی سیلیکون وافر به دو نوع P و N تقسیم می‌شوند. وا فرهای سیلیکونی نوع P با افزودن بور به مواد سیلیکون تولید می‌شوند.

مقایسه سه مسیر فنی مختلف

جنبه	PERC	TOPCon	HJT
پوشش‌دهی	پوشش‌دهی پشتی Al₂O₃/SiNx	تماس پوشیده شده با SiO₂ + پلی‌سیلیكون	پوشش‌دهی هتروپیوند a-Si/c-Si
گام‌های کلیدی فرآیند	طرف جلویی: انتشار فسفر برای تشکیل امیتر n+، سپس چاپ نقره‌ای شبکه‌ای. طرف پشتی: رسوب‌گذاری اکسید آلومینیوم (لایه پوشش‌دهنده) + نیتریید سیلیکون (لایه محافظ). حکاکی لیزری (تماس موضعی) و سپس چاپ میدان پشتی آلومینیوم.	رویه جلویی: مشابه PERC (توزیع فسفر + چاپ سیلک‌اسکرین). طرف پشتی: یک لایه اکسید تونلینگ ۱-۲ نانومتری (SiO₂) می‌روید. لایه سیلیکون آمورف با دُز فسفر رسوب داده می‌شود و برای تشکیل لایه پلی‌سیلیکون n+ آنیل می‌شود. با SiNx پوشانده می‌شود و سپس الکترودها با چاپ سیلک‌اسکرین روی آن قرار می‌گیرند.	پاکسازی و بافت‌دهی: بافت‌دهی دوطرفه (نیازمند پاکیزگی فوق‌العاده بالا). رسوب‌دهی: لایه‌های پاسویاسیون سیلیکون آمورف ذاتی (i-a-Si) در هر دو طرف رسوب داده می‌شوند. سیلیکون آمورف نوع p در رویه جلو و سیلیکون آمورف نوع n در رویه پشت (تشکیل هتروپیوند) رسوب داده می‌شوند. لایه TCO (اکسید رسانای شفاف): با رسوب دادن مواد ITO (اکسید ایندیوم قلع) یا مواد مشابه. فلزکاری: خمیر نقره کم‌دما + چاپ سیلک‌اسکرین (یا پوشش مس).
فلزکاری	خمیر نقره پر‌دما (>۷۰۰ درجه سانتی‌گراد)	خمیر نقره پر‌دما	خمیر نقره کم‌دما (<۲۰۰ درجه سانتی‌گراد)
دماي فرآیند	بالا (>۸۰۰ درجه سانتی‌گراد)	بالا (انعقاد >۹۰۰ درجه سانتی‌گراد)	پایین (<۲۰۰ درجه سانتی‌گراد)
لایه TCO	نیاز نیست	نیاز نیست	نیاز دارد (ITO و غیره)
کارایی	~۲۴%	~۲۶%	~۲۷%+
هزینه	کمترین	متوسط	بالاترین (تجهیزات + مواد)