/

/

Peralatan Produksi Bekas untuk Sel Fotovoltaik

Peralatan fotovoltaik yang digunakan untuk manufaktur PERC/TOPCon

Teknologi Perk

Termasuk: Peralatan Tekstur Batch Monokristalin, Pemuat/Pengosong Tekstur Batch, Sistem Difusi Tertutup Tabung Tertutup Tekanan Rendah Soft-Landing…

Teknologi TOPCon

Seperti: Tungku difusi Boron, Penghapusan BSG, Mesin Pemoles Alkali, PE-POLY…

Layanan Kami

Konsultasi

Desain Teknik

Pengadaan Peralatan

Berbagai Rute Teknis untuk Sel PV

Perbandingan tiga Jalur Teknis yang Berbeda

AspekPERCTOPConHJT
PasivasiPasivasi belakang Al₂O₃/SiNxKontak pasif SiO₂ + poly-SiPasivasi heterojunction a-Si/c-Si
Langkah-langkah Proses UtamaSisi Depan: Difusi fosfor untuk membentuk emitor n+, diikuti oleh jalur grid perak yang dicetak layar.
Sisi Belakang:
Menyimpan aluminium oksida (lapisan pasivasi) + silikon nitrida (lapisan pelindung).
Penggoresan laser (kontak lokal) diikuti oleh pencetakan bidang belakang aluminium.
Sisi Depan: Mirip dengan PERC (difusi fosfor + pencetakan saring).
Sisi Belakang:
Membentuk lapisan oksida tunneling 1-2 nm (SiO₂).
Menyimpan silikon amorf terdop fosfor, dipanaskan untuk membentuk lapisan polisilikon n+.
Melapisi dengan SiNx, kemudian mencetak elektroda dengan pencetakan saring.
Pembersihan & Tekstur: Tekstur dua sisi (memerlukan kebersihan yang sangat tinggi).
Penempelan:
Menyimpan lapisan pasivasi silikon amorf intrinsik (i-a-Si) pada kedua sisi.
Menyimpan a-Si tipe-p di sisi depan dan a-Si tipe-n di sisi belakang (membentuk heterojunction).
Lapisan TCO (Transparent Conductive Oxide): Menyimpan ITO (Indium Tin Oxide) atau material serupa.
Metalisasi: Pasta perak suhu rendah + pencetakan saring (atau pelapisan tembaga).
MetalisasiPasta perak suhu tinggi (>700°C)Pasta perak suhu tinggiPasta perak suhu rendah (<200°C)
Suhu ProsesTinggi (>800°C)Tinggi (pengembangan panas >900°C)Rendah (<200°C)
Lapisan TCOTidak diperlukanTidak diperlukanDiperlukan (ITO, dll.)
Efisiensi~24%~26%~27%+
Biaya TerendahSedangTertinggi (peralatan + bahan)

Kasus Proyek

1500 TPD Copper Ore Ball Mill Grinding Plant in Chile

1500 TPD Pabrik Penggilingan Bijih Tembaga Ball Mill di Chili

Bahan Mentah: Bijih Tembaga (Kalkopirit) Tingkat Tembaga: 0,85% Produk Akhir: Pulp bijih yang digiling untuk flotasi

500 TPD Gold CIL Plant in Zimbabwe

500 TPD Pabrik CIL Emas di Zimbabwe

Bahan Mentah: Bijih Emas Tipe Oksida Kadar Emas: 2,5 g/t Kemurnian Batangan Emas: 96%

1000 TPD Titanium Zirconium Ore Processing Plant in Africa

Pabrik Pengolahan Bijih Titanium Zirconium 1000 TPD di Afrika

Bahan Mentah: Pasir Bijih Titanium Zirconium TiO₂ Kadar: 4,5% ZrO₂ Kadar: 3,2%

300 TPD Fluorite Ore Dressing Plant

Pabrik Pengolahan Bijih Fluorit 300 TPD

Bahan Baku: Bijih Fluorit (CaF₂) Derajat Fluorit: 35-40% Derajat Konsentrat: ≥97% CaF₂

1500 TPD Gold Flotation Plant in Bogutu

Pabrik Pengapungan Emas 1500 TPD di Bogutu

Bijih Mentah: Bijih Emas Tipe Sulfida (dengan Pyrite dan Arsenopyrite yang terkait) Tingkat Emas: 4,2 g/t

Produk

Solusi

Kasus

hubungi kami

WhatsApp

Formulir Kontak