/

/

Peralatan Produksi Bekas untuk Sel Fotovoltaik

Peralatan fotovoltaik yang digunakan untuk manufaktur PERC/TOPCon

Teknologi Perk

Termasuk: Peralatan Tekstur Batch Monokristalin, Pemuat/Pengosong Tekstur Batch, Sistem Difusi Tertutup Tabung Tertutup Tekanan Rendah Soft-Landing…

Teknologi TOPCon

Seperti: Tungku difusi Boron, Penghapusan BSG, Mesin Pemoles Alkali, PE-POLY…

Layanan Kami

Konsultasi

Desain Teknik

Pengadaan Peralatan

Berbagai Rute Teknis untuk Sel PV

Perbandingan tiga Jalur Teknis yang Berbeda

AspekPERCTOPConHJT
PasivasiPasivasi belakang Al₂O₃/SiNxKontak pasif SiO₂ + poly-SiPasivasi heterojunction a-Si/c-Si
Langkah-langkah Proses UtamaSisi Depan: Difusi fosfor untuk membentuk emitor n+, diikuti oleh jalur grid perak yang dicetak layar.
Sisi Belakang:
Menyimpan aluminium oksida (lapisan pasivasi) + silikon nitrida (lapisan pelindung).
Penggoresan laser (kontak lokal) diikuti oleh pencetakan bidang belakang aluminium.
Sisi Depan: Mirip dengan PERC (difusi fosfor + pencetakan saring).
Sisi Belakang:
Membentuk lapisan oksida tunneling 1-2 nm (SiO₂).
Menyimpan silikon amorf terdop fosfor, dipanaskan untuk membentuk lapisan polisilikon n+.
Melapisi dengan SiNx, kemudian mencetak elektroda dengan pencetakan saring.
Pembersihan & Tekstur: Tekstur dua sisi (memerlukan kebersihan yang sangat tinggi).
Penempelan:
Menyimpan lapisan pasivasi silikon amorf intrinsik (i-a-Si) pada kedua sisi.
Menyimpan a-Si tipe-p di sisi depan dan a-Si tipe-n di sisi belakang (membentuk heterojunction).
Lapisan TCO (Transparent Conductive Oxide): Menyimpan ITO (Indium Tin Oxide) atau material serupa.
Metalisasi: Pasta perak suhu rendah + pencetakan saring (atau pelapisan tembaga).
MetalisasiPasta perak suhu tinggi (>700°C)Pasta perak suhu tinggiPasta perak suhu rendah (<200°C)
Suhu ProsesTinggi (>800°C)Tinggi (pengembangan panas >900°C)Rendah (<200°C)
Lapisan TCOTidak diperlukanTidak diperlukanDiperlukan (ITO, dll.)
Efisiensi~24%~26%~27%+
Biaya TerendahSedangTertinggi (peralatan + bahan)

Kasus Proyek

1800 TPD Gold Processing Plant Expansion in Ghana

Ekspansi Pabrik Pengolahan Emas 1800 TPD di Ghana

Bijih Mentah: Bijih Emas Tipe Sulfida Tingkat Emas: 3,5 g/t Tingkat Pemulihan Emas: 92%

100 TPD Gold CIL Plant in Tanzania – Installation Completed!!!

Pabrik CIL Emas 100 TPD di Tanzania – Pemasangan Selesai!!!

Bahan Mentah: Bijih Emas Tipe Oksida Kadar Emas: 3,5 g/t Kemurnian Emas Batangan: 99,5%

1500 TPD Gold Mine CIL Expansion Project in Malaysia

Proyek Ekspansi CIL Tambang Emas 1500 TPD di Malaysia

Bijih Mentah: Bijih Emas Sulfida Refraktori dan Semi-Refraktori Tingkat Emas: 2,65 g/t Kemurnian Emas Batangan: ≥95,5%

1200 TPD Lithium Ore Flotation Plant in Zimbabwe

Pabrik Flotasi Bijih Litium 1200 TPD di Zimbabwe

Bahan Mentah: Bijih pegmatit yang mengandung litium (terutama Spodumene) Grade Li₂O: 1,15% Grade Konsentrat: 5,5% Li₂O

500 TPD High-Purity Calcite Processing Plant in Guangxi

Pabrik Pengolahan Kalsit Kemurnian Tinggi 500 TPD di Guangxi

Bahan Mentah: Bijih Kalkit CaCO3 Kadar: 85% Produk Akhir: Bubuk Kalkit Berlapis & Tidak Berlapis (325 – 2500 mesh)

Produk

Solusi

Kasus

hubungi kami

WhatsApp

Formulir Kontak