Ham Cevher: Bakır Cevheri (Kalkopirit) Bakır Gradı: %0,85 Son Ürünler: Flotasyon için öğütülmüş cevher süspansiyonu
Entegre hücre üretim sistemi ve olgun teknolojiyle hızlı yatırım getirisi
Çok iyi kalitede ikinci el ekipman partisi dikkatlice seçtik. Yeni ekipmanlara kıyasla belirgin fiyat avantajları sunuyor ve kullanımda çok fazla fark yaratmıyor.
Perk Teknolojisi
Dahil: Tek kristal Parti Dokuma Ekipmanı, Parti Dokuma Yükleme/Boşaltma, Düşük Basınçlı Yumuşak İniş Kapalı Tüp Difüzyon Sistemi…
Şirketimiz profesyonel bir ekibe ve zengin deneyime sahiptir ve size en iyi hizmeti sağlayabilir
Proje stratejisi
Proje teklifi
Alan seçimi planı
Uygulama çalışması raporu Proje uygulama planı Güvenli üretim değerlendirmesi
Sivil yapı
Proses tedarik sistemi
Mekanik ve HVAC
Çevre koruma ve güvenlik
3B boru tasarımı
Yerinde kurulum ve devreye alma ve ilk yıl operasyon
İlk yıl tesis operasyonu
Teknoloji eğitimi
Tek kristal hücreler, silisyum gofretlerinin katkısına göre P tipi ve N tipi olarak ayrılır. P tipi silisyum gofretler, silisyum malzemesine bor katkısı yapılarak üretilirken, N tipi...
| Görünüm | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Pasivasyon | Al₂O₃/SiNx arka pasivasyon | SiO₂ + poli-Si pasive edilmiş temas | a-Si/c-Si heteroeklemeli pasivasyon |
| Ana İşlem Adımları | Ön Yüz: n+ emici oluşturmak için fosfor difüzyonu, ardından ekranda basılmış gümüş ızgara çizgileri. Arka Yüz: Alüminyum oksit (pasivasyon tabakası) + silisyum nitrür (koruyucu tabaka) biriktirilir. Lazer oyuğu (yerel temas) ardından alüminyum arka alan baskısı. | Ön Yüz: PERC'ye benzer (fosfor difüzyonu + ekranda baskı). Arka Yüz: 1-2 nm tünelleme oksit tabakası (SiO₂) oluşturur. Fosfor katkılı amorf silikon biriktirilir, daha sonra n+ polikristal silikon tabakası oluşturacak şekilde tavlanır. SiNx ile kaplanır, ardından elektrotlar ekrana basılır. | Temizleme ve Dokulu Yüzey: İki yüzlü dokulu yüzey (son derece yüksek temizlik gerektirir). Biriktirme: Her iki yüzeye de intrinsik amorf silikon (i-a-Si) pasivasyon katmanları biriktirilir. Ön yüzeye p-tipi a-Si, arka yüzeye n-tipi a-Si biriktirilir (heteroeklemi oluşturur). Şeffaf İletken Oksit (TCO) Katmanı: ITO (İndium Tin Oksit) veya benzer malzemeler biriktirilir. Metalizasyon: Düşük sıcaklıkta gümüş macun + ekran baskı (veya bakır kaplama). |
| Metalizasyon | Yüksek sıcaklıkta gümüş macun (>700°C) | Yüksek sıcaklıkta gümüş macun | Düşük sıcaklıkta gümüş macun (<200°C) |
| İşlem Sıcaklığı | Yüksek (>800°C) | Yüksek (annealing >900°C) | Düşük (<200°C) |
| TCO Tabakası | Gerekli değil | Gerekli değil | Gerekli (ITO vb.) |
| Verimlilik | ~%24 | ~%26 | ~%27+ |
| Maliyet | En düşük | Orta | En yüksek (ekipman + malzemeler) |
Ham Cevher: Bakır Cevheri (Kalkopirit) Bakır Gradı: %0,85 Son Ürünler: Flotasyon için öğütülmüş cevher süspansiyonu
Ham Maden: Oksit Tipi Altın Maden Altın Derecesi: 2.5 g/t Altın Külçe Saflığı: %96
Ham Cevher: Titan Zirkonyum Plaj Kum Cevheri TiO₂ Derecesi: %4.5 ZrO₂ Derecesi: %3.2
Hammadde: Florit Cevheri (CaF₂) Florit Derecesi: %35-40 Konsantre Derecesi: ≥%97 CaF₂
Ham Cevher: Sülfür Türü Altın Cevheri (beraberinde Pirit ve Arsenopirit ile) Altın Derecesi: 4.2 g/t
Ürünlerimiz ve çözümlerimiz hakkında daha fazla bilgi almak için lütfen aşağıdaki formu doldurun ve uzmanlarımızdan biri kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
Shandong Eyaletindeki 3000 TPD Altın Flotasyon Projesi
2500TPD Lityum Cevheri Flotasyonu Sichuan'da.
Faks: (+86) 021-60870195
Adres:No.2555,Xiupu Yolu, Pudong, Şanghay
Telif Hakkı © 2023.Prominer (Şanghay) Madencilik Teknolojisi A.Ş.
