蚀刻工艺

化学蚀刻工艺在硅片表面形成金字塔状或倒金字塔状纹理，显著提高光伏电池的光吸收效率。 这一关键的制造工艺对于提高太阳能电池转换效率至关重要。

设备: 单晶批量蚀刻系统

制造商选择： 中国 S.C.，Kingenious 等

BSG 移除+碱性抛光

使用 HF 移除磷硅酸盐玻璃 (PSG)
反应：SiO2+HF→H2SiF6+H2O

选择性表面钝化及抛光机制：

“保护基团”（例如，硅烷基化合物）在氧化物表面形成有序单分子层：

形成 OH⁻ 扩散屏障 → 防止 SiO₂ 蚀刻

加速 OH⁻ 与背面 Si 的反应 → 增强 {111}/{100} 面上的各向异性蚀刻

设备：在线 BSG 移除设备+碱性抛光设备

制造商选择： 中国 S.C.，Kingenious 等

P 扩散/退火

由 POCl₃ 分解产生的 P₂O₅ 沉积在硅片表面。P₂O₅ 与硅发生反应，生成 SiO₂ 和磷原子，并在硅片表面形成磷硅酸盐玻璃层。然后，磷原子扩散到硅中。

反应： 2P₂O₅ + 5Si = 5SiO₂ + 4P↓

设备：磷扩散炉

制造商选择:中国 S.C. 等

原子层沉积（ALD）用于表面钝化

表面钝化原理：ALD 能够逐层沉积原子级薄膜。利用 Al₂O₃ 的负固定电荷，它在硅体内部产生一个指向硅体的界面电场。这个电场：

铝氧化物/硅界面排斥电子，在nn型硅

降低界面复合速度 (S_eff< 10 cm/s)

提高少数载流子寿命 (Δτ > 1 ms)

通过TMA前驱体反应机制沉积Al₂O₃：三甲基铝 (TMA) 在循环过程中与水蒸气反应：
2AL(CH3)3 + 3H2O = Al2O3 + 6CH4

设备：ALD

制造商选择:LEADMICRO等

背面涂层

利用低温等离子体作为能源，将硅晶圆放置在低压辉光放电系统的阴极上。通过辉光放电（或附加加热元件）将晶圆加热到预定温度。然后引入适量的 SiH₄ 和 NH₃，经历一系列化学和等离子体反应，在硅晶圆背面形成固态薄膜 (SiNₓ)。

设备：5管背侧等离子体增强化学气相沉积

制造商选择:中国 S.C. 等

烧结炉

低温区：主要涉及油墨有机溶剂和粘结剂的蒸发和燃烧。
中间温度阶段：主要特征是玻璃料的熔化和银粒子的聚集。
高温阶段：主要由银、硅和熔融玻璃之间的反应形成银硅合金。
冷却阶段：主要包括银粒子在硅表面上的再结晶和晶粒长大。

设备：烧结炉 & 光注入集成系统（双轨）

制造商选择: CHINAMAXWELL 等

分选和测试

AOI（自动光学检测）是一种基于光学原理的设备，用于检测太阳能电池生产过程中常见的视觉缺陷。
EL（电致发光）原理：将正向电流施加到太阳能电池上，利用光伏效应的反向过程使电池发光。成像系统捕获信号并将其传输到计算机软件，软件处理数据并在屏幕上显示太阳能电池的 EL 图像。
IV测试仪原理：太阳能电池暴露在模拟阳光下，将光能转换为电能并产生电流。测试仪同时测量电流和电压，然后根据数据计算功率和效率等关键参数。

设备：双通道太阳能电池测试分选系统（HALM系统，150个分选槽）

制造商选择: CHINAMAXWELL 等