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单晶电池根据硅片掺杂类型分为P型和N型。P型硅片是通过在硅材料中掺杂硼制成的，而N型硅片是通过掺杂磷制成的。
| 方面 | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| 钝化 | Al₂O₃/SiNx 背面钝化 | SiO₂ + 多晶硅钝化接触 | a-Si/c-Si 异质结钝化 |
| 关键工艺步骤 | 正面：磷扩散形成 n+ 发射极，然后进行丝网印刷银栅线。 背面： 沉积氧化铝（钝化层）+ 氮化硅（保护层）。 激光刻槽（局部接触）然后进行铝背面场印刷。 | 正面：类似 PERC（磷扩散 + 丝网印刷）。 背面： 生长 1-2 纳米厚的隧道氧化层（SiO₂）。 沉积磷掺杂非晶硅，退火形成n+多晶硅层。 涂覆SiNx，然后丝网印刷电极。 | 清洗与蚀刻：双面蚀刻（需要极高的洁净度）。 沉积： 沉积本征非晶硅（i-a-Si）钝化层于两侧。 沉积p型非晶硅于正面和n型非晶硅于背面（形成异质结）。 透明导电氧化物层：沉积ITO（氧化铟锡）或类似材料。 金属化：低温银浆 + 丝网印刷（或铜电镀）。 |
| 金属化 | 高温银浆（>700°C） | 高温银浆 | 低温银浆（<200°C） |
| 工艺温度 | 高（>800°C） | 高（退火 >900°C） | 低（<200°C） |
| TCO 层 | 不需要 | 不需要 | 需要（ITO 等） |
| 效率 | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| 成本 | 最低 | 中等 | 最高（设备 + 材料） |
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