工艺目的： 清洗原始硅晶片并制造光陷阱蚀刻表面
单晶批量蚀刻设备
供应商选择： 常州 JJG 等
示例型号： SC-CSZ10000E-20F
工艺目的： 形成太阳能电池制造所需的 PN 结。
低压软着陆闭管扩散系统
供应商选择：北京NAURA微电子等；
示例型号：HORIS D12542P
工艺目的：去除背面PSG（磷硅酸盐玻璃）并形成抛光后的后表面。
单面PSG去除设备
供应商选择：常州JJG精密等；
示例型号：SC-LSS7500CS
工艺目的：实现抗PID（潜在感应降解）性能。
管式扩散氧化退火炉
供应商选择：深圳S.C新能源等；
示例型号：（DOA-420）（氧化炉，6管）
工艺目的：在硅片后表面沉积Al₂O₃/SiNx钝化层，以降低表面复合速度并增强二次反射。
管式等离子体氧化铝沉积炉
供应商选择：深圳S.C新能源等；
示例型号：（PD-520）（后表面，5个管路）
工艺目的：在太阳能电池上制造抗反射涂层（ARC）。
管式等离子体沉积炉
供应商选择：深圳S.C新能源等；
示例型号：（PD-520）（正面，10个管路）
工艺目的：激光蚀刻背部介电堆叠，形成局部背表面场（LBSF）接触，用于电流收集。
激光刻槽设备
供应商选择： 武汉DR激光技术等
示例 型号： DR-M2XS-AL-DY90
工艺目的：形成前后表面电场和电极，用于电流收集和提取，同时提供用于电池串联连接的焊接点。
双轨道丝网印刷线
供应商选择： 苏州麦克斯韦尔等
示例型号： MX-XDL-DP
工艺目的：在电极处形成最佳的欧姆接触，同时通过氢化钝化硅表面和体缺陷。
双轨烧结炉
供应商选择： 苏州麦克斯韦尔等
示例型号：MX-XDL-OVEN- D+P II-II
过程目的：根据太阳能电池的效率、外观和电致发光 (EL) 特性进行分选和筛选。
双轨测试与分选
供应商选择： 苏州麦克斯韦尔等
示例型号： MX-XDL-TEXT
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