Materia Prima: Coque de Petróleo Verde, Coque de Aguja Verde y Pitch de Alto Punto de Ablandamiento
Rápida rentabilidad de la inversión con un sistema de producción de celdas integrado y tecnología madura
Hemos seleccionado cuidadosamente un lote de equipos de segunda mano de muy buena calidad. En comparación con el equipo nuevo, presentan claras ventajas de precio.
Tecnología Perk
Incluye: Equipo de texturizado de lote monocristalino, Cargador/descargador de texturizado de lote, Sistema de difusión de tubo cerrado de aterrizaje suave a baja presión…
Tecnología TOPCon
Como: Horno de difusión de boro, eliminación de BSG, Máquina de pulido alcalino, PE-POLI…
Nuestra empresa cuenta con un equipo profesional y con amplia experiencia, y puede proporcionarle el mejor servicio.
Estrategia de proyecto
Propuesta de proyecto
Plan de selección de sitio
Informe de estudio de factibilidad Plan de implementación del proyecto Evaluación de seguridad de la producción
Estructura civil
Sistema de suministro de procesos
Mecánica y HVAC
Protección ambiental y seguridad
Diseño de tuberías 3D
Erección e instalación en sitio y operación del primer año.
Operación de la planta durante el primer año
Capacitación tecnológica
Las células monocristalinas se dividen en tipo P y tipo N según el tipo de dopado de las obleas de silicio. Las obleas de silicio tipo P se fabrican dopando el material de silicio con boro, mientras que las obleas de silicio tipo N se fabrican dopando el material con fósforo.
| Aspecto | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Pasivación | Pasivación trasera Al₂O₃/SiNx | Contacto pasivado SiO₂ + poli-Si | Pasivación heterojunta a-Si/c-Si |
| Pasos Clave del Proceso | Lado Frontal: Difusión de fósforo para formar el emisor n+, seguido de líneas de rejilla de plata impresas en pantalla. Lado Trasero: Depósito de óxido de aluminio (capa de pasivación) + nitruro de silicio (capa protectora). Grabado láser (contacto local) seguido de impresión de campo trasero de aluminio. | Cara frontal: Similar a PERC (difusión de fósforo + serigrafía).
Lado Trasero: Forma una capa de óxido de túnel de 1-2 nm (SiO₂). Deposita silicio amorfo dopado con fósforo, recocido para formar una capa de polisilicio n+. Recubre con SiNx, luego serigrafía los electrodos. | Limpieza y Texturizado: Texturizado de doble cara (requiere una limpieza extremadamente alta).
Deposición: Deposita capas de pasivación de silicio amorfo intrínseco (i-a-Si) en ambos lados. Deposita a-Si tipo p en la cara frontal y a-Si tipo n en la trasera (formando la heterojunción). Capa de Óxido Conductor Transparente (TCO): Depósitos de Óxido de Indio y Estaño (ITO) o materiales similares. Metalización: Pasta de plata a baja temperatura + serigrafía (o galvanizado de cobre). |
| Metalización | Pasta de plata a alta temperatura (>700°C) | Pasta de plata a alta temperatura | Pasta de plata a baja temperatura (<200°C) |
| Temperatura del proceso. | Alta (>800°C) | Alta (recocido >900°C) | Baja (<200°C) |
| Capa TCO | No requerida | No requerida | Requerida (ITO, etc.) |
| Eficiencia | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Costo | Más bajo | Moderado | Más alto (equipo + materiales) |
Materia Prima: Coque de Petróleo Verde, Coque de Aguja Verde y Pitch de Alto Punto de Ablandamiento
Mineral Crudo: Mineral de Oro Tipo Óxido Grado de Oro: 4 g/t
Mineral Crudo: Mineral de Litio Espodumeno Grado de Li2O: 1.22%
Mineral Crudo: Mineral de Oro Tipo Sulfuro Grado de Oro: 3 g/t
Mineral Crudo: Mineral de Oro y Cobre Tipo Sulfuro Grado de Oro: 4 g/t
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Proyecto de Flotación de Oro de 3000 TPD en la Provincia de Shandong
Flotación de Minerales de Litio de 2500 TPD en Sichuan
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