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Macchinari di seconda mano per celle fotovoltaiche

Macchinari fotovoltaici usati per la produzione PERC/TOPCon

Tecnologia PERC

Includi: Impianto di texturizzazione monocristallino a lotto, Caricatore/scaricatore per texturizzazione a lotto, Sistema di diffusione a bassa pressione a tubo chiuso con soft landing

Tecnologia TOPCon

Come ad esempio: forno per la diffusione del boro, rimozione BSG, macchina per la lucidatura alcalina, PE-POLY…

I nostri servizi

Consulenza

Progettazione Ingeneristica

Approvvigionamento di attrezzature

Diversi Percorsi Tecnologici per le Celle PV

Confronto di tre Diversi percorsi tecnici

AspettoPERCTOPConHJT
PassivazionePassivazione posteriore Al₂O₃/SiNxContatto passivato SiO₂ + poli-SiPassivazione etero-giunzione a-Si/c-Si
Fasi chiave del processoLato anteriore: Diffusione del fosforo per formare l'emettitore n+, seguita da linee griglia d'argento stampate a schermo.
Lato posteriore:
Deposizione di ossido di alluminio (strato di passivazione) + nitruro di silicio (strato protettivo).
Incisione laser (contatto locale) seguita dalla stampa del campo posteriore in alluminio.
Lato anteriore: simile a PERC (diffusione di fosforo + stampaggio a schermo).
Lato posteriore:
Cresce uno strato di ossido di tunnel di 1-2 nm (SiO₂).
Deposita silicio amorfo drogato con fosforo, ricotto per formare uno strato di polisilizio n+.
Rivestito con SiNx, quindi stampa a schermo gli elettrodi.
Pulizia e texturizzazione: texturizzazione a doppio lato (richiede un'estrema pulizia).
Deposizione:
Deposita strati di passivazione di silicio amorfo intrinseco (i-a-Si) su entrambi i lati.
Deposita a-Si di tipo p sul lato anteriore e a-Si di tipo n sul retro (formando l'etero giunzione).
Strato TCO (Ossidante Conduttivo Trasparente): Depositi di ITO (Ossido di Stagno e Indio) o materiali simili.
Metallizzazione: Pasta d'argento a bassa temperatura + serigrafia (o placcatura rame).
MetallizzazionePasta d'argento ad alta temperatura (>700°C)Pasta d'argento ad alta temperaturaPasta d'argento a bassa temperatura (<200°C)
Temperatura di processo.Alta (>800°C)Alta (rinvenimento >900°C)Bassa (<200°C)
Strato TCONon richiestoNon richiestoRichiede (ITO, ecc.)
Efficienza~24%~26%~27%+
CostoMinimoModeratoMassimo (attrezzature + materiali)

Casi di Progetto

1500 TPD Copper Ore Ball Mill Grinding Plant in Chile

Impianto di macinazione di mineral di rame da 1500 TPD in Cile

Minerale grezzo: Minerale di rame (Calcopirite) Grado di rame: 0,85% Prodotti finali: Slurry di minerale macinato per flottazione

500 TPD Gold CIL Plant in Zimbabwe

Impianto CIL per oro da 500 TPD in Zimbabwe

Minerale grezzo: Oro di tipo ossido Grado d'oro: 2,5 g/t Purezza del lingotto d'oro: 96%

1000 TPD Titanium Zirconium Ore Processing Plant in Africa

Impianto di lavorazione di minerale di titanio e zirconio da 1000 TPD in Africa

Minerale grezzo: sabbia di titanio zirconio TiO₂ Grado: 4,5% ZrO₂ Grado: 3,2%

300 TPD Fluorite Ore Dressing Plant

Impianto di trattamento minerario di fluorite da 300 TPD

Materia Prima: Minerale di Fluorite (CaF₂) Grado di Fluorite: 35-40% Grado di Concentrato: ≥97% CaF₂

1500 TPD Gold Flotation Plant in Bogutu

Impianto di flottazione dell'oro da 1500 t/g a Bogutu</hl>

Minerale Grezzo: Minerale d'Oro di Tipo Solfureo (con Pirite e Arsenopirite associate) Grado d'Oro: 4,2 g/t

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