Macchinari di seconda mano per celle fotovoltaiche

Ritorno rapido dell'investimento con sistema di produzione di celle integrato e tecnologia matura

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Macchinari fotovoltaici usati per la produzione PERC/TOPCon

Abbiamo selezionato con cura un lotto di macchinari usati di ottima qualità. Rispetto alle apparecchiature nuove, presentano evidenti vantaggi di prezzo e non comportano differenze significative nell'utilizzo.

Tecnologia PERC

Macchinari di produzione di celle solari PERC usati

Includi: Impianto di texturizzazione monocristallino a lotto, Caricatore/scaricatore per texturizzazione a lotto, Sistema di diffusione a bassa pressione a tubo chiuso con soft landing

Tecnologia TOPCon

UsatoImpianto TOPCONper la produzione di celle solari

Come ad esempio: forno per la diffusione del boro, rimozione BSG, macchina per la lucidatura alcalina, PE-POLY…

I nostri servizi

La nostra azienda ha un team professionale e un'esperienza consolidata, e può fornirti il miglior servizio

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Diversi Percorsi Tecnologici per le Celle PV

Le celle monocristalline sono divise in tipo P e tipo N in base al tipo di drogaggio delle celle di silicio. Le celle di silicio di tipo P sono realizzate drogando il silicio con boro, mentre quelle di tipo N con...

Confronto di tre Diversi percorsi tecnici

Aspetto	PERC	TOPCon	HJT
Passivazione	Passivazione posteriore Al₂O₃/SiNx	Contatto passivato SiO₂ + poli-Si	Passivazione etero-giunzione a-Si/c-Si
Fasi chiave del processo	Lato anteriore: Diffusione del fosforo per formare l'emettitore n+, seguita da linee griglia d'argento stampate a schermo. Lato posteriore: Deposizione di ossido di alluminio (strato di passivazione) + nitruro di silicio (strato protettivo). Incisione laser (contatto locale) seguita dalla stampa del campo posteriore in alluminio.	Lato anteriore: simile a PERC (diffusione di fosforo + stampaggio a schermo). Lato posteriore: Cresce uno strato di ossido di tunnel di 1-2 nm (SiO₂). Deposita silicio amorfo drogato con fosforo, ricotto per formare uno strato di polisilizio n+. Rivestito con SiNx, quindi stampa a schermo gli elettrodi.	Pulizia e texturizzazione: texturizzazione a doppio lato (richiede un'estrema pulizia). Deposizione: Deposita strati di passivazione di silicio amorfo intrinseco (i-a-Si) su entrambi i lati. Deposita a-Si di tipo p sul lato anteriore e a-Si di tipo n sul retro (formando l'etero giunzione). Strato TCO (Ossidante Conduttivo Trasparente): Depositi di ITO (Ossido di Stagno e Indio) o materiali simili. Metallizzazione: Pasta d'argento a bassa temperatura + serigrafia (o placcatura rame).
Metallizzazione	Pasta d'argento ad alta temperatura (>700°C)	Pasta d'argento ad alta temperatura	Pasta d'argento a bassa temperatura (<200°C)
Temperatura di processo.	Alta (>800°C)	Alta (rinvenimento >900°C)	Bassa (<200°C)
Strato TCO	Non richiesto	Non richiesto	Richiede (ITO, ecc.)
Efficienza	~24%	~26%	~27%+
Costo	Minimo	Moderato	Massimo (attrezzature + materiali)