Rohmaterial: Grüner Petroleumkoks, grüner Nadelkoks und hochweicher Pitch
Schnelle Kapitalrendite mit integriertem Zellproduktionsystem und ausgereifter Technologie
Wir haben sorgfältig eine Charge gebrauchter Anlagen sehr guter Qualität ausgewählt. Im Vergleich zu Neuanschaffungen bieten sie deutliche Preisvorteile und weisen in der Anwendung kaum Unterschiede auf.
PERC-Technologie
Include: Monocrystalline Batch Texturing Equipment, Batch Texturing Loader/Unloader,Low-Pressure Soft-Landing Closed-Tube Diffusion System…
Unser Unternehmen verfügt über ein professionelles Team und umfangreiche Erfahrung und kann Ihnen den besten Service bieten
Projektstrategie
Projektvorschlag
Standortwahlplan
Machbarkeitsstudie Projektumsetzungsplan Sicherheitsbewertung
Baukonstruktion
Prozessversorgungssystem
Mechanik und HLK
Umweltschutz und Sicherheit
3D-Rohrleitungsdesign
Vor-Ort-Montage & Inbetriebnahme und Betrieb im ersten Jahr.
Betrieb der Anlage im ersten Jahr
Technisches Training
Monokristalline Zellen werden je nach Dotierungstyp der Siliziumwafer in p- und n-Typ unterteilt. P-Typ-Siliziumwafer werden durch Dotierung von Bor in Siliziummaterialien hergestellt, während n-Typ-
| Aspekt | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Passivierung | Al₂O₃/SiNx Rückseitenpassivierung | SiO₂ + poly-Si passivierter Kontakt | a-Si/c-Si Heteroübergangspassivierung |
| Schlüsselprozesse | Vorderseite: Phosphordiffusion zur Bildung des n+-Emittors, gefolgt von aufgedruckten silbernen Gitterlinien. Rückseite: Ablagerung von Aluminiumoxid (Passivierungsschicht) + Siliziumnitrid (Schutzschicht). Laser-Rillen (lokaler Kontakt) gefolgt vom Druck des Aluminium-Rückfelds. | Vorderseite: Ähnlich wie PERC (Phosphor-Diffusion + Siebdruck).
Rückseite: Wächst eine 1-2 nm Tunnel-Oxid-Schicht (SiO₂). Schichtet phosphor-dotiertes amorphes Silizium auf, das getempert wird, um eine n+-polykristalline Siliziumschicht zu bilden. Beschichtet mit SiNx und druckt anschließend Elektroden mittels Siebdruck. | Reinigung & Texturierung: Doppelseitige Texturierung (erfordert extrem hohe Reinheit).
Abscheidung: Schichtet intrinsisches amorphes Silizium (i-a-Si) Passivierungsschichten auf beiden Seiten ab. Schichtet p-typisches a-Si auf der Vorderseite und n-typisches a-Si auf der Rückseite ab (Bildung der Heterojunction). TCO-Schicht: Abscheidung von ITO (Indium-Zinn-Oxid) oder ähnlichen Materialien. Metallisierung: Niedertemperatur-Silberpaste + Siebdruck (oder Kupferbeschichtung). |
| Metallisierung | Hochtemperatur-Silberpaste (>700°C) | Hochtemperatur-Silberpaste | Niedertemperatur-Silberpaste (<200°C) |
| Prozesstemperatur | Hoch (>800°C) | Hoch (Auslagerung >900°C) | Niedrig (<200°C) |
| TCO-Schicht | Nicht erforderlich | Nicht erforderlich | Erforderlich (ITO usw.) |
| Effizienz | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Kosten | Niedrigst | Mäßig | Höchst (Ausrüstung + Materialien) |
Rohmaterial: Grüner Petroleumkoks, grüner Nadelkoks und hochweicher Pitch
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