O processo de ataque químico forma texturas piramidais ou estruturas de pirâmides invertidas nas superfícies das pastilhas de silício
Equipamento: Sistema de texturização em lote monocristalino
Escolha do Fabricante: CHINA S.C., Kingenious, etc.
Formação de Camada P+ para Junção PN:Utilizando BCl₃ em altas temperaturas para formar uma camada P+ na superfície do wafer de silício, criando uma junção PN que permite a geração de portadores no wafer.
Método de Formação de Junção Celular N-tipo:O processo de formação da junção para células N-tipo envolve a difusão de boro (B) em material semicondutor dopado com fósforo, criando uma junção PN na interface entre as duas regiões semicondutoras dopadas.
Equipamentos:
Forno de difusão de boro (6 tubos)
Escolha do Fabricante:
CHINA S.C., Laplace, etc.
Remoção de vidro fosfosilicato (PSG) usando HF
Reação: SiO2 + HF → H2SiF6 + H2O
Mecanismo de passivação e polimento seletivo da superfície:
“Grupos protetores” (por exemplo, compostos à base de silano) formam uma monocamada ordenada na superfície do óxido:
Cria uma barreira à difusão de OH⁻ → Evita o ataque do SiO₂
Acelera a reação de OH⁻ com o Si da parte de trás → Melhora o ataque anisótropo nos planos {111}/{100}
Equipamentos: Equipamentos de remoção de BSG em linha + Equipamentos de polimento alcalino
Escolha do fabricante: CHINA S.C., Kingenious, etc.
Princípio de deposição da camada de óxido: Oxidação térmica via difusão de oxigênio em temperaturas elevadas, onde o oxigênio reage com o silício para formar óxido de silício.
Reação química: O2 + Si → SiOx.
Princípio de deposição de Silício amorfo (a-Si):Decomposição térmica do silano (SiH₄) em processo CVD, produzindo silício em fase sólida e hidrogênio como subprodutos.
Reação química: SiH₄(g) → Si(s) + 2H₂(g)
Equipamentos: Sistema LPCVD
Fabricanteescolha:Laplace, etc.
O P<sub>2</sub>O<sub>5</sub> produzido pela decomposição do POCl<sub>3</sub> é depositado na superfície da pastilha de silício. O P<sub>2</sub>O<sub>5</sub> reage com o silício para gerar SiO<sub>2</sub> e átomos de fósforo, formando uma camada de vidro fosfosilicato na superfície da pastilha de silício. Os átomos de fósforo então difundem-se no silício.
Reação: 2P<sub>2</sub>O<sub>5</sub> + 5Si = 5SiO<sub>2</sub> + 4P↓
Equipamentos: Forno de difusão de fósforo
Fabricanteescolha:CHINA S.C., etc.
Gravação Úmida Inline para Remoção de PSG (Laterais e Fundo)
Processo: Estação úmida em cadeia utiliza química à base de HF para remover o vidro fosfatossilicato (PSG) da parte de trás e bordas do wafer antes da limpeza RCA.
Os "grupos protetores" são seletivamente organizados de forma ordenada para melhorar a proteção do BPSG. Após a remoção do PSG na superfície POLY usando um processo de polimento alcalino, a solução aOH+ADD é utilizada para proteger com sucesso o SiO2 da corrosão pelo NaOH.
Equipamentos: Sistema de remoção de PSG inline + máquina de limpeza RCA
Fabricanteescolha:CHINA S.C., etc.
Princípio da Passivação de Superfície: A ALD permite o depósito camada por camada de filmes finos atômicos. Utilizando as cargas fixas negativas do Al₂O₃, cria-se um campo elétrico interfacial direcionado para o substrato de silício. Este campo:
Repele elétrons da interface Al₂O₃/Si em n-tipo de silício
Reduz a velocidade de recombinação na interface (Seff< 10 cm/s)
Melhora a vida útil dos portadores minoritários (Δτ > 1 ms)
Deposição de Al₂O₃ via mecanismo de reação de precursor TMA: Trimetilalumínio (TMA) reage com vapor de água em um processo cíclico:
2AL(CH3)3 + 3H2O = Al2O3 + 6CH4
Equipamentos: ALD
Fabricanteescolha: LEADMICRO., etc
O plasma de baixa temperatura serve como fonte de energia, com o wafer de silício colocado no cátodo sob descarga luminescente de baixa pressão. O wafer é aquecido a uma temperatura predeterminada por meio de descarga luminescente (ou um elemento de aquecimento adicional).
Equipamentos: Revestimento de plasma assistido por CVD em 5 tubos na face frontal
Fabricanteescolha:CHINA S.C., etc.
Utilizando o plasma de baixa temperatura como fonte de energia, o substrato de silício é colocado no cátodo de um sistema de descarga de baixa pressão. O substrato é aquecido a uma temperatura pré-determinada através da descarga (ou com um elemento de aquecimento adicional). Uma quantidade apropriada de SiH₄ e NH₃ é então introduzida, sofrendo uma série de reações químicas e de plasma para formar uma fina película sólida (SiNx) na superfície posterior do substrato de silício.
Equipamentos: Impressão por Plasma-CVD de 5 tubos no lado de trás
Fabricanteescolha:CHINA S.C., etc.
Durante a impressão, a pasta é aplicada na tela de malha. O raspador exerce pressão controlada ao atravessar a tela, forçando a pasta através dos orifícios da malha para o substrato. A pasta adere dentro de limites definidos devido à sua viscosidade.
Um espaço controlado entre a tela e o substrato permite que a tela tensionada se recobre do raspador, mantendo apenas um contato de linha em movimento. Isso cria o desligamento da pasta da malha durante a separação, garantindo precisão dimensional. Após a impressão, o raspador se levanta e
Equipamentos: Linha de serigrafia dupla
Escolha do fabricante: CHINAMAXWELL., etc
Zona de baixa temperatura: Envolve principalmente a evaporação e combustão dos solventes orgânicos e aglomerantes da pasta.
Estágio de temperatura intermediária: Caracterizado principalmente pela fusão do vidro em pó e pela agregação de partículas de prata.
Estágio de alta temperatura: Dominado por reações entre prata, silício e vidro fundido, formando ligas de prata-silício.
Fase de resfriamento: Consiste principalmente na recristalização e crescimento de grão das partículas de prata na superfície do silício.
Equipamentos: Sistema integrado de forno de queima e injeção de luz (dupla trilha)
Fabricanteescolha: CHINAMAXWELL., etc
A irradiação a laser de alta intensidade excita os portadores de carga na célula solar, enquanto uma tensão de polarização superior a 10V é aplicada, gerando uma corrente localizada de vários amperes. Isso induz a sinterização, desencadeando a difusão mútua entre a pasta de prata e o silício, reduzindo significativamente a resistência de contato entre o metal e o semicondutor, melhorando assim o fator de preenchimento. Enquanto isso, durante todo o processo de sinterização, o tempo de vida dos portadores termina rapidamente após a passagem do laser, minimizando os danos ao o
Equipamentos: Sistema de dopagem a laser de duas faixas
Fabricanteescolha: DR., etc
A inspeção óptica automática (AOI) é um dispositivo baseado em princípios ópticos para detectar defeitos visuais comuns encontrados durante a produção de células solares.
Princípio do EL (Eletroluminescência): Uma corrente direta é aplicada à célula solar, utilizando o processo inverso ao efeito fotovoltaico para fazer a célula emitir luz. O sistema de imagem captura o sinal e o transmite para um software de computador, que processa os dados e exibe a imagem EL da célula solar na tela.
Princípio do Testador IV: A célula solar é exposta a luz solar simulada, convertendo energia luminosa em energia elétrica e gerando corrente. O testador mede simultaneamente a corrente e a tensão, e calcula parâmetros chave como potência e eficiência com base nos dados.
Equipamentos: Testador e classificador de células solares de dupla trilha (sistema HALM, 150 compartimentos)
Fabricanteescolha: CHINAMAXWELL., etc
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