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단결정 태양전지는 실리콘 웨이퍼의 도핑 유형에 따라 P형과 N형으로 나뉩니다. P형 실리콘 웨이퍼는 실리콘 재료에 붕소를 도핑하여 제작되며, N형은 인을 도핑하여 제작됩니다.
| 측면 | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| 패시베이션 | Al₂O₃/SiNx 후면 패시베이션 | SiO₂ + 폴리-Si 패시베이션 접촉 | a-Si/c-Si 헤테로접합 패시베이션 |
| 주요 공정 단계 | 전면: n+ 에미터 형성을 위한 인 확산, 이후 스크린 인쇄 은 그리드 라인. 후면: 산화알루미늄(패시베이션 층) + 질화규소(보호 층) 증착. 레이저 그루빙(국소 접촉) 후 알루미늄 백 필드 인쇄. | 정면: PERC(인 인산 확산 + 스크린 인쇄)와 유사합니다. 후면: 1-2nm 터널 산화막(SiO₂)층을 성장시킵니다. 인 도핑된 비정질 실리콘을 증착하여 어닐링하여 n+ 다결정 실리콘층을 형성합니다. SiNx로 코팅한 후 전극을 스크린 인쇄합니다. | 세척 및 텍스처링: 양면 텍스처링(극도의 청결도 필요). 증착: 양면에 본질적인 비정질 실리콘(i-a-Si) 패시베이션 층을 증착합니다. 정면에 p형 a-Si, 후면에 n형 a-Si를 증착하여 (헤테로접합을 형성합니다). 투명 도전성 산화물(TCO) 층: ITO(인듐 주석 산화물) 또는 유사 물질을 증착합니다. 금속화: 저온 은페이스트 + 스크린 인쇄 (또는 구리 도금) |
| 금속화 | 고온 은페이스트 (>700°C) | 고온 은페이스트 | 저온 은페이스트 (<200°C) |
| 공정 온도 | 고온 (>800°C) | 고온 (어닐링 >900°C) | 저온 (<200°C) |
| TCO 층 | 필요 없음 | 필요 없음 | 필요 (ITO 등) |
| 효율성 | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| 비용 | 최저 | 보통 | 최고 (장비 + 재료) |
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