태양광 셀용 중고 생산 장비

통합된 셀 생산 시스템과 성숙한 기술로 빠른 투자 수익률

우수한 품질의 중고 장비 일괄 구매를 준비했습니다. 신규 장비에 비해 가격 경쟁력이 뛰어나며 사용상 큰 차이가 없습니다.

퍼크 기술

포함: 단결정 배치 텍스처링 장비, 배치 텍스처링 로더/언로더, 저압 소프트 랜딩 폐쇄형 튜브 확산 시스템…

TOPCon 기술

예: 보론 확산로, BSG 제거, 알칼리 연마기, PE-POLY…

저희 회사는 전문적인 팀과 풍부한 경험을 가지고 있으며, 최고의 서비스를 제공할 수 있습니다.

프로젝트 전략

프로젝트 제안서

부지 선정 계획

타당성 연구 보고서 프로젝트 실행 계획 안전 생산 평가

건축 구조

공정 공급 시스템

기계 및 HVAC

환경 보호 및 안전

3D 파이프 설계

현장 설치 및 시운전 및 첫 해 운영

첫 해 플랜트 운영

기술 교육

단결정 태양전지는 실리콘 웨이퍼의 도핑 유형에 따라 P형과 N형으로 나뉩니다. P형 실리콘 웨이퍼는 실리콘 재료에 붕소를 도핑하여 제작되며, N형은 인을 도핑하여 제작됩니다.

측면	PERC	TOPCon	HJT
패시베이션	Al₂O₃/SiNx 후면 패시베이션	SiO₂ + 폴리-Si 패시베이션 접촉	a-Si/c-Si 헤테로접합 패시베이션
주요 공정 단계	전면: n+ 에미터 형성을 위한 인 확산, 이후 스크린 인쇄 은 그리드 라인. 후면: 산화알루미늄(패시베이션 층) + 질화규소(보호 층) 증착. 레이저 그루빙(국소 접촉) 후 알루미늄 백 필드 인쇄.	정면: PERC(인 인산 확산 + 스크린 인쇄)와 유사합니다. 후면: 1-2nm 터널 산화막(SiO₂)층을 성장시킵니다. 인 도핑된 비정질 실리콘을 증착하여 어닐링하여 n+ 다결정 실리콘층을 형성합니다. SiNx로 코팅한 후 전극을 스크린 인쇄합니다.	세척 및 텍스처링: 양면 텍스처링(극도의 청결도 필요). 증착: 양면에 본질적인 비정질 실리콘(i-a-Si) 패시베이션 층을 증착합니다. 정면에 p형 a-Si, 후면에 n형 a-Si를 증착하여 (헤테로접합을 형성합니다). 투명 도전성 산화물(TCO) 층: ITO(인듐 주석 산화물) 또는 유사 물질을 증착합니다. 금속화: 저온 은페이스트 + 스크린 인쇄 (또는 구리 도금)
금속화	고온 은페이스트 (>700°C)	고온 은페이스트	저온 은페이스트 (<200°C)
공정 온도	고온 (>800°C)	고온 (어닐링 >900°C)	저온 (<200°C)
TCO 층	필요 없음	필요 없음	필요 (ITO 등)
효율성	~24%	~26%	~27%+
비용	최저	보통	최고 (장비 + 재료)