Mina Bruta: Minério de Cobre-Ouro Grau de Cobre: 1,2% Grau de Ouro: 1,5 g/t Taxa de Recuperação: Cobre 89%, Ouro 88%
Retorno rápido do investimento com sistema de produção de células integrado e tecnologia madura
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Tecnologia Perk
Inclui: Equipamentos de Texturização em Lote Monocristalino, Carregador/Descarregador de Texturização em Lote, Sistema de Difusão Fechado em Tubo com Pouso Suave de Baixa Pressão...
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Estratégia de Projeto
Proposta de Projeto
Plano de Seleção de Local
Relatório de Estudo de Viabilidade Plano de Implementação do Projeto Avaliação da Segurança da Produção
Estrutura Civil
Sistema de Abastecimento de Processo
Mecânica e HVAC
Proteção Ambiental e Segurança
Projeto de Tubulação 3D
Montagem e Comissionamento no Local e Operação do Primeiro Ano.
Operação da Planta no Primeiro Ano
Treinamento em Tecnologia
As células monocristalinas são divididas em tipo P e tipo N, de acordo com o tipo de dopagem das pastilhas de silício. As pastilhas de silício tipo P são feitas dopando-se o silício com boro, enquanto as pastilhas de silício tipo N
| Aspeto | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Passivação | Passivação traseira Al₂O₃/SiNx | Contato passivado SiO₂ + polí-Si | Passivação heterojunção a-Si/c-Si |
| Etapas Principais do Processo | Face Frontal: Difusão de fósforo para formar o emissor n+, seguida de linhas de grade de prata impressas em tela. Face Traseira: Depósito de óxido de alumínio (camada de passivação) + nitreto de silício (camada protetora). Gravação a laser (contato local) seguida de impressão de campo traseiro de alumínio. | Face Frontal: Similar ao PERC (difusão de fósforo + impressão em tela).
Face Traseira: Cria uma camada de óxido de tunelamento de 1-2 nm (SiO₂). Deposita silício amorfo dopado com fósforo, recozido para formar uma camada de polisilicio n+. Reveste com SiNx, em seguida, imprime eletrodos por serigrafia. | Limpeza e Texturização: Texturização dupla face (requer limpeza extremamente alta).
Deposição: Deposita camadas de passivação de silício amorfo intrínseco (i-a-Si) em ambos os lados. Deposita a-Si tipo p na face frontal e a-Si tipo n na face traseira (formando a heterojunção). Camada de Óxido Condutor Transparente (TCO): Depósitos de ITO (Óxido de Estanho Indentado) ou materiais similares. Metalização: Pasta de prata de baixa temperatura + impressão em tela (ou galvanização de cobre). |
| Metalização | Pasta de prata de alta temperatura (>700°C) | Pasta de prata de alta temperatura | Pasta de prata de baixa temperatura (<200°C) |
| Temperatura do processo | Alta (>800°C) | Alta (recozimento >900°C) | Baixa (<200°C) |
| Camada TCO | Não necessária | Não necessária | Necessária (ITO, etc.) |
| Eficiência | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Custo | Menor | Moderada | Maior (equipamento + materiais) |
Mina Bruta: Minério de Cobre-Ouro Grau de Cobre: 1,2% Grau de Ouro: 1,5 g/t Taxa de Recuperação: Cobre 89%, Ouro 88%
Mina Bruta: Minério de Ouro Tipo Misto (Óxido e Sulfeto) Grau de Ouro: 2,8 g/t Taxa de Recuperação de Ouro: 92% (Pós-Otimização)
Mina Bruta: Minério Sulfeto Primário (Calcopirita-Bornita) Grau de Cu: 0,72% Grau do Concentrado: 28,3%
Mina Bruta: Minério de Estanho Aluvial (Cassiterita) Teor de Estanho: 0,8% Teor do Concentrado: 65%
Mina Bruta: Minério de fosfato complexo com sílica e carbonatos Teor de P2O5: 18,5% Teor do Concentrado: 32% P2O5
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