Minério Bruto: Ouro Sulfeto Refratário e Semi-Refratário Grau de Ouro: 2,65 g/t Pureza do Lingote de Ouro: ≥95,5%

Retorno rápido do investimento com sistema de produção de células integrado e tecnologia madura
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Tecnologia Perk
Inclui: Equipamentos de Texturização em Lote Monocristalino, Carregador/Descarregador de Texturização em Lote, Sistema de Difusão Fechado em Tubo com Pouso Suave de Baixa Pressão...
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Estratégia de Projeto

Proposta de Projeto

Plano de Seleção de Local

Relatório de Estudo de Viabilidade Plano de Implementação do Projeto Avaliação da Segurança da Produção


Estrutura Civil

Sistema de Abastecimento de Processo

Mecânica e HVAC

Proteção Ambiental e Segurança

Projeto de Tubulação 3D


Montagem e Comissionamento no Local e Operação do Primeiro Ano.

Operação da Planta no Primeiro Ano

Treinamento em Tecnologia
As células monocristalinas são divididas em tipo P e tipo N, de acordo com o tipo de dopagem das pastilhas de silício. As pastilhas de silício tipo P são feitas dopando-se o silício com boro, enquanto as pastilhas de silício tipo N




| Aspeto | PERC | TOPCon | HJT |
|---|---|---|---|
| Passivação | Passivação traseira Al₂O₃/SiNx | Contato passivado SiO₂ + polí-Si | Passivação heterojunção a-Si/c-Si |
| Etapas Principais do Processo | Face Frontal: Difusão de fósforo para formar o emissor n+, seguida de linhas de grade de prata impressas em tela. Face Traseira: Depósito de óxido de alumínio (camada de passivação) + nitreto de silício (camada protetora). Gravação a laser (contato local) seguida de impressão de campo traseiro de alumínio. | Face Frontal: Similar ao PERC (difusão de fósforo + impressão em tela).
Face Traseira: Cria uma camada de óxido de tunelamento de 1-2 nm (SiO₂). Deposita silício amorfo dopado com fósforo, recozido para formar uma camada de polisilicio n+. Reveste com SiNx, em seguida, imprime eletrodos por serigrafia. | Limpeza e Texturização: Texturização dupla face (requer limpeza extremamente alta).
Deposição: Deposita camadas de passivação de silício amorfo intrínseco (i-a-Si) em ambos os lados. Deposita a-Si tipo p na face frontal e a-Si tipo n na face traseira (formando a heterojunção). Camada de Óxido Condutor Transparente (TCO): Depósitos de ITO (Óxido de Estanho Indentado) ou materiais similares. Metalização: Pasta de prata de baixa temperatura + impressão em tela (ou galvanização de cobre). |
| Metalização | Pasta de prata de alta temperatura (>700°C) | Pasta de prata de alta temperatura | Pasta de prata de baixa temperatura (<200°C) |
| Temperatura do processo | Alta (>800°C) | Alta (recozimento >900°C) | Baixa (<200°C) |
| Camada TCO | Não necessária | Não necessária | Necessária (ITO, etc.) |
| Eficiência | ~24% | ~26% | ~27%+ |
| Custo | Menor | Moderada | Maior (equipamento + materiais) |

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Projeto de Flotação de Ouro de 3000 TPD na Província de Shandong
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