Equipamentos de Produção de Células Fotovoltaicas Usados

Retorno rápido do investimento com sistema de produção de células integrado e tecnologia madura

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Equipamentos fotovoltaicos usados para fabricação de PERC/TOPCon

Selecionamos cuidadosamente um lote de equipamentos usados de muito boa qualidade. Comparados aos equipamentos novos, apresentam vantagens óbvias de preço.

Tecnologia Perk

Equipamentos de produção de células solares PERC usados

Inclui: Equipamentos de Texturização em Lote Monocristalino, Carregador/Descarregador de Texturização em Lote, Sistema de Difusão Fechado em Tubo com Pouso Suave de Baixa Pressão...

UsadoTOPCONEquipamentos de Produção de Células Solares

Como: Forno de Difusão de Boro, Remoção de BSG, Máquina de Polimento Alcalino, PE-POLY…

Nossos Serviços

Nossa empresa possui uma equipe profissional e rica experiência, e pode fornecer o melhor serviço

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Operação da Planta no Primeiro Ano

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Diferentes Rotas Técnicas para Células FV

As células monocristalinas são divididas em tipo P e tipo N, de acordo com o tipo de dopagem das pastilhas de silício. As pastilhas de silício tipo P são feitas dopando-se o silício com boro, enquanto as pastilhas de silício tipo N

Comparação de três Rotas Técnicas Diferentes

Aspeto	PERC	TOPCon	HJT
Passivação	Passivação traseira Al₂O₃/SiNx	Contato passivado SiO₂ + polí-Si	Passivação heterojunção a-Si/c-Si
Etapas Principais do Processo	Face Frontal: Difusão de fósforo para formar o emissor n+, seguida de linhas de grade de prata impressas em tela. Face Traseira: Depósito de óxido de alumínio (camada de passivação) + nitreto de silício (camada protetora). Gravação a laser (contato local) seguida de impressão de campo traseiro de alumínio.	Face Frontal: Similar ao PERC (difusão de fósforo + impressão em tela). Face Traseira: Cria uma camada de óxido de tunelamento de 1-2 nm (SiO₂). Deposita silício amorfo dopado com fósforo, recozido para formar uma camada de polisilicio n+. Reveste com SiNx, em seguida, imprime eletrodos por serigrafia.	Limpeza e Texturização: Texturização dupla face (requer limpeza extremamente alta). Deposição: Deposita camadas de passivação de silício amorfo intrínseco (i-a-Si) em ambos os lados. Deposita a-Si tipo p na face frontal e a-Si tipo n na face traseira (formando a heterojunção). Camada de Óxido Condutor Transparente (TCO): Depósitos de ITO (Óxido de Estanho Indentado) ou materiais similares. Metalização: Pasta de prata de baixa temperatura + impressão em tela (ou galvanização de cobre).
Metalização	Pasta de prata de alta temperatura (>700°C)	Pasta de prata de alta temperatura	Pasta de prata de baixa temperatura (<200°C)
Temperatura do processo	Alta (>800°C)	Alta (recozimento >900°C)	Baixa (<200°C)
Camada TCO	Não necessária	Não necessária	Necessária (ITO, etc.)
Eficiência	~24%	~26%	~27%+
Custo	Menor	Moderada	Maior (equipamento + materiais)